DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
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半导体制造工艺基础
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光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，到底是在说什么？
01半导体光刻胶分类半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。以上的g线、i
最通俗易懂的光刻机原理介绍
光刻机，是现代光学工业之花，是半导体行业中的核心技术。可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位，光刻机，是制造芯片的机器，要是没有了光刻机，我们就没有办法造出芯片，自然也就不会有我们现在的手机、电脑了。光刻机是用于芯片制造的核心设备，按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机。光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先咱们有个概念：我们现在芯片的线条
CMP 研磨液（Slurry）浅谈【转】
化学机械平坦化：CMP（Chemical-Mechanical Planarization）Slurry：英语名词，译为“泥浆，悬浮液”少量食盐融化到水中，形成均匀稳定的分散体系，是为溶液泥土搅拌到水中，并不是被溶解，仅是分散在其中，一旦混合物停止振荡，就会沉淀，这种不均匀的、异质的混合物，称之为悬浮液 悬浮液 是一种非均相体系，由含大量分子的颗粒悬于液体中形成，固体颗粒
![SPC及CPK基本原理浅谈[转]](https://zyblog-dxy.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/uploads/20220105/012e3244733d06209f8401e893e891de.png)
SPC及CPK基本原理浅谈[转]
SPC：Statistical Process Control------统计制程控制 应用统计技术对过程中的各个阶段进行评估和监控，从而保证产品与服务满足要求的一种质量技术。 先聊几个概念：正态分布（Normal distribution）: 又名高斯分布（G
转：当年被人嘲笑的上海，如今撑起中国芯片的半边天！
如果不是上海当年下决心搞芯片……作 者丨 张静波华商韬略原创文章，转载请联系客服微信：hstlkf华商韬略·华商名人堂 ID：hstl8888图片：网络、图虫创意2011年，64岁的上海芯片产业奠基人江上舟，走到了人生尽头。弥留之际，他始终放心不下中国的芯片事业。直到有人在他耳边大喊一声——“光刻机”，他才睁开了眼睛。但最终，还是抱憾离去。01上海，中国第一大城市。大多数人对它的印象，还停留在中国
半导体,芯片公司入门第一课（视频）
导电性能介于半导体和绝缘体之间得材料，叫做半导体。最常用得半导体材料是硅和锗。半导体最重要得性质之一就是：能够由一种叫做掺杂得步骤，刻意加入某种杂质并应用电场来控制其导电性。
可靠性系列-Gate Oxide Degradation
可靠性系列文章将主要介绍可靠性相关的概念及失效机理。01 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有
芯片制造工艺问答037：PHO recipe的Focus设定值往正"+"调整后PR profile会有何影响?
Ans positive: 往正调整会造成所谓的”削头”的情形,如下图所示 negative:往负调整会造成所谓的”解不开”的情形,如下图所示
芯片制造工艺问答036：PHO Overlay shift的原因及现象有哪些? 其中有多少种可以经由给机台补偿改善?
Ans (1) phenomenon:translation, rotation and magnitude, trapezoid, tilt (2) reason: as belowtabler 平移 旋转 水平 扭曲 倍率 X, Y large mean, small range
