第三代半导体

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碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？

碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成，包括肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、数据中心、高压充电等。半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层后进一步加工制成，包括 HEMT 等氮化镓射频器件，主要用于 5G 通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。

第三代半导体 2024年02月16日 2 点赞 0 评论 2150 浏览

提高烧结银可靠性的12大关键因素

第三代半导体 2022年04月25日 80 点赞 0 评论 3086 浏览

第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体

第三代半导体 2021年04月10日 103 点赞 0 评论 5654 浏览

碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]

碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作磨料，也被用于汽车制动盘，作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子

第三代半导体 2021年04月10日 82 点赞 0 评论 6164 浏览

关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火

1. Introduction       我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×1012瓦），相当于970亿桶原油每年加油。而可再生能源提供了一种环保的替代能源化石燃料仅占总量的10%左右[64]。伴随着清洁能源，必须努力抑制消费，这在一定程度上

第三代半导体 2021年01月16日 149 点赞 0 评论 5570 浏览

第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解

随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际

第三代半导体 2020年11月12日 80 点赞 0 评论 2599 浏览

用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾

碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作磨料，也被用于汽车制动盘，作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子设备，包括肖特基势垒二极管（SBD），结型

第三代半导体 2020年11月08日 148 点赞 0 评论 3311 浏览

[经验] 浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直

第三代半导体 2020年11月08日 149 点赞 0 评论 4011 浏览

SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析

国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章，因此本文对相关信息进行了搜集和总结，希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业，如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件，WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点，是理想的功率半导体器件，正在快速取代Si器件，应用在车载电源、

第三代半导体 2020年10月27日 168 点赞 0 评论 6500 浏览

工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？

氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性

第三代半导体 2020年10月27日 161 点赞 0 评论 6359 浏览