功率器件

第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]

碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体

新型功率器件有哪些?电动化趋势下碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)成市场新热点?

电动化浪潮之下,全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现,更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的新型半导体材料在汽车行业的应用,正突破传统材料的限制,赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上,传统功率器件通常采用IGBT技术方案,但近年来随着材料科技的发展,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术正成为技术热点。目前

5G和新能源汽车应用爆发在即,原厂争先布局SiC、GaN (转)

受材料特性所限,硅器件各方面的性能已经接近理论极限,此背景下,宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的发展相对更成熟,氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等材料的研究尚在起步阶段。随着新能源汽车的普及和5G的商用,厂商针对SiC或GaN做了新的布局。新能源车带动SiC市场目前,车用功率模块的主流材料是IGBT。据了解,IGBT的成本约占驱动系统成本的一

碳化硅,为何让人又爱又恨?(转)

作为半导体材料具有优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质,因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC):材料、器件及应用-2019版》报告中预计,到2024年,碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元,2018-2024年期间的复合年增长率将高

一文看懂IGBT(转)

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的

详细IGBT的开通过程(IGBT结构及工作原理)(转)

 一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理,不同的行业对使用IGBT时,对于其深入的程度可能不一样,但是作为一个开关器件,开通和关断的过程,我觉得有必要了解一下。随着载流子寿命控制等技术的应用, IGBT关断损耗得到了明显改善; 此外,大功率IGBT 器件内部续流二极管的反向恢复过程,极大地增加了IGBT 的开通损耗,因此,IGBT的开通过程越来越引起重视。分析IGBT 在不同工

IGBT理论与实践–实用篇 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”,今年一下子火了。所以趁热打铁吧,继续来点干货吧。资料比较零散,想到哪写到哪,但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙,没时间搞那些排版什么的,大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理,首先Gate控制MOSFET导通,产生Drain-to