芯知博客

半导体精选009 | 长江存储IPO募资330亿、英伟达遭调查、台积电1.4nm提前量产、长鑫LPDDR6量产

Sun, 13 Sep 2026 22:31:46 +0800

本周半导体行业资讯更新：长江存储IPO进入问询阶段、拟募资330亿元；英伟达在多国遭到反垄断调查；商务部对日本进口半导体材料实施临时反倾销措施；台积电1.4nm制程有望提前量产；长鑫存储LPDDR6量产落地；苹果发布首款2nm手机芯片；OpenAI敲定下一代自研芯片方案……从465篇行业资讯中精选24篇，按六大专题整理。

一、重大产业事件

IPO进展、监管动态、反倾销落地、制程提速——本周产业大事件

01 长江存储IPO已问询，拟募资330亿元
芯项目1FIM · 09-12

长江存储IPO申请进入问询阶段，拟募资330亿元。作为国产NAND闪存龙头，其上市进展受到资本市场与产业链的持续关注，募资将主要投向产能扩充与技术研发。

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02 突发，英伟达被查
半导体行业观察 · 09-10

英伟达遭遇反垄断调查，事件涉及多个市场。作为AI算力生态的核心供应商，监管动向对全球AI芯片供应链的影响值得关注。

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03 商务部裁定：对日本半导体材料实施临时反倾销，最高99.2%
今日半导体 · 09-07

商务部公布对日本进口半导体相关材料的临时反倾销措施裁定，税率最高达99.2%。国产上游材料厂商在光刻胶、高纯化学品等领域的替代窗口进一步打开。

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04 台积电1.4nm制程，将提前量产
半导体行业观察 · 09-10

台积电1.4nm（A14）制程量产时间有望提前，先进制程竞赛继续提速。配合A16背面供电等新工艺，下一代AI芯片的能效天花板再度上移。

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二、AI与芯片前沿

OpenAI自研芯片、国产互联生态、类脑混合推理——AI算力竞争升级

05 OpenAI下一代自研芯片方案敲定
半导体行业观察 · 09-10

OpenAI下一代自研AI芯片的技术方案基本确定，自研芯片进程持续推进。头部AI公司自研算力硬件，正在成为降低推理成本、掌握供应链主动权的共同选择。

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06 国产AI芯片厂商，谁有了自己的「NVLink」？
半导体行业观察 · 09-11

芯片间高速互联是AI集群规模化的关键。盘点评述国产AI芯片厂商在互联技术上的布局：从单芯片竞争走向系统级、超节点竞争，互联生态成为新的分水岭。

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07 国内首个GPU+类脑芯片混合推理系统发布
天天IC · 09-13

国内首个GPU与类脑芯片混合推理系统正式发布，传统GPU与类脑计算在推理场景中协同工作，为低功耗AI推理提供了新的架构路线。

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08 华为AI芯片价格上涨，单颗报价超25万元
天天IC · 09-10

市场消息显示华为AI芯片价格上涨，单颗报价超过25万元。供不应求的背景下，国产AI芯片的市场定价能力与产能瓶颈同时受到关注。

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三、存储与先进封装

LPDDR6量产、2nm手机芯片、HBF新路线——存储与封装动态

09 长鑫存储LPDDR6量产：速率达12800Mbps，对全球客户开放合作
锐芯闻 · 09-09

长鑫存储LPDDR6实现量产，速率达12800Mbps，并向全球客户开放合作。国产DRAM在高端移动存储品类上的竞争力进一步增强。

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10 苹果首款2nm手机芯片发布，引入全新封装
半导体行业观察 · 09-10

苹果发布首款基于2nm制程的手机芯片，并引入全新封装方案。移动端SoC进入2nm时代，先进制程与先进封装的协同成为性能提升的关键组合。

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11 HBF来了：10倍HBM容量，NAND闪存跑大模型推理的新路线
芯联汇 · 09-12

高带宽闪存（HBF）以10倍于HBM的容量为卖点，试图在大模型推理场景中突破带宽与耐久性瓶颈。存储分层架构可能出现新的变量。

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12 台积电CoWoS产能，2028年翻番
半导体行业观察 · 09-12

台积电规划到2028年将CoWoS先进封装产能翻番。AI芯片对先进封装的需求持续高企，封装环节正在成为算力供给的新瓶颈与新战场。

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四、技术深度解读

DRAM制造、混合键合、A16供电、SRAM——技术干货四篇

13 先进DRAM制造全拆解：6F²、埋入式字线、Air Gap与60:1高深宽比电容
芯联汇 · 09-13

系统拆解一颗先进DRAM的制造过程：6F²单元结构、埋入式字线、Air Gap空气间隙、60:1高深宽比电容刻蚀，每一项都是存储微缩的硬功夫。

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14 imec揭秘Sub-25nm混合键合：三大技术突破对准精度极限
芯联汇 · 09-12

imec公布Sub-25nm间距混合键合的最新进展：光刻预补偿、晶圆形变补偿、PCA三大技术协同，推动对准精度逼近物理极限。

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15 台积电A16工艺解析：重构AI芯片供电原则
苏州实验室的半导体之窗 · 09-13

台积电A16工艺引入背面供电网络（BSPDN），从供电架构层面重构AI芯片设计原则，为逻辑微缩放缓时代的能效提升提供新路径。

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16 SRAM真正难的，从来不是"存住一个0或1"
学晶圆 · 09-13

SRAM的难点不在单个存储单元，而在于密度、功耗、良率与成本的系统性平衡。文章从单元结构讲到阵列设计，梳理SRAM微缩的真实瓶颈。

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五、SiC与功率半导体

超级结SiC、涨价延续、SiC+氧化镓——功率器件动态

17 全球首款，国产碳化硅超级结MOSFET正式发布
功率半导体生态圈 · 09-08

国产碳化硅超级结MOSFET正式发布。超级结结构与SiC材料结合，在导通损耗与开关性能上实现新的平衡，国产功率器件在高端品类上继续突破。

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18 功率半导体涨价潮延续：瑞萨电子年内二度调价
功率半导体生态圈 · 09-11

瑞萨电子宣布年内第二次调价，新价格2027年1月起生效。功率半导体供需关系改善，涨价周期从存储向功率器件蔓延。

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19 罗姆：SiC业绩增长53%，六大新技术亮相
行家说三代半 · 09-10

罗姆SiC业务实现53%增长，同期发布六项新技术。国际大厂在SiC赛道持续加码，竞争焦点从产能扩张转向技术代差。

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20 杭州一企业启动SiC＋氧化镓混合模块验证：从第三代跨向第四代半导体
半导体在线 · 09-08

杭州企业启动SiC与氧化镓混合功率模块验证，尝试将第四代半导体材料氧化镓与成熟的SiC工艺结合，为超高耐压应用探索新方案。

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六、材料与供应链

磷化铟、高纯石英、光通信材料——供应链观察

21 磷化铟6英寸衬底国产化率不足5%：高壁垒与长扩产周期的双重考验
今日半导体 · 09-13

磷化铟6英寸衬底国产化率不足5%，行业进入壁垒高、扩产周期长，两大瓶颈制约供给释放。AI光互连需求增长下，磷化铟供需矛盾持续。

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22 中国高纯石英打进DRAM产线，但坩埚还没搞定
锐芯闻 · 09-12

国产高纯石英砂进入DRAM产线供应链，但石英坩埚环节仍有短板。半导体材料国产化往往"突破一层、露出下一层"，链条短板需要逐个补齐。

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23 800G迈向3.2T：理清InP、EML、硅光与薄膜铌酸锂的真实技术关系
半导体在线 · 09-09

光模块从800G迈向3.2T，InP、EML、硅光、薄膜铌酸锂各是什么角色、如何分工？文章梳理几大技术路线的真实关系与演进逻辑。

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24 与光刻胶同样关键的半导体材料是什么？
芯榜 · 09-11

除了光刻胶，还有一类材料同样卡脖子却鲜被讨论。文章盘点几类存在感不高、但工艺环节不可或缺的半导体材料及其国产化现状。

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写在最后：本周产业主线清晰——IPO与监管动态交织（长江存储问询、英伟达被查、反倾销落地），制程竞赛提速（台积电1.4nm、苹果2nm），存储新技术路线涌现（LPDDR6量产、HBF登场）。以上链接均为各公众号原文，点击"查看原文"即可跳转阅读。

半导体精选009 · 每周整理 · 本期到此结束

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/6

Mon, 07 Sep 2026 06:36:00 +0800

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 6 日 08:00 — 9 月 7 日 08:00（北京时间）注：周末行业新闻发布较少，部分 9 月 5 日发布、仍在持续发酵的重要动态一并纳入。

1. 博测锐创董事长邱宇峰：车规 SiC 已进入成熟期，万伏级高压测试设备国产化空间巨大

《科创板日报》9 月 6 日发布对博测锐创董事长邱宇峰的深度专访。核心观点：① 车规 SiC 已进入成熟期—— 经过业界几年努力，衬底外延缺陷密度大幅降低，多家国内 SiC 器件已达到车规级要求并上车主驱（而非仅用于 OBC/DC-DC），能上主驱是 SiC 器件成熟的标志；② 公司首发的 12.5kV 超高压功率半导体测试分析仪为全球首款，填补万伏级测试空白；③ 高于 1700V 的器件市场将迅速成长，而这块国产测试设备基本还是空白，是巨大增长空间；④ SiC 动态特性测不准是全球业界难题，公司花了四五年时间实现突破。

状态：已查证
来源：科创板日报｜2026 世界动力电池大会

http://m.toutiao.com/group/7682353004070879798/

2. Microchip 扩展 SiC 功率模块产品组合，推出 700V/1200V/1700V 多拓扑 SBD 模块

Microchip Technology（纳斯达克：MCHP）9 月 6 日宣布扩展 SiC 功率模块产品组合，推出更小、更轻、更高效的 SiC 肖特基势垒二极管（SBD）功率模块，覆盖 700V、1200V、1700V 三个电压等级。新模块包含双二极管、全桥、相臂、双共阴极、三相桥等多种拓扑。通过将多个 SiC 二极管芯片集成到单一模块中，可最大化开关效率、降低温升、减小系统占位。产品具备高雪崩性能，可减少缓冲电路需求，全系已开放订购。

状态：已查证
来源：IndoTelko｜Microchip 官方

https://www.indotelko.com/amp/read/1584588970/microchip-carbide

3. 全国首届固态断路器研讨会在温州乐清举行，聚焦 SiC/GaN 在算力中心直流供电应用

全国首届固态断路器研讨会（秋季）9 月 6 日在温州乐清举行。清华大学副研究员屈鲁围绕 "算力中心源网荷储一体化直流供电的关键技术与应用成果" 作报告，南航、川大、浙大、湖南大学、中船 712 所等单位专家，围绕新能源并网、数据中心、轨道交通等场景，以及 SiC、GaN 等宽禁带半导体器件在固态断路器中的应用展开研讨。固态断路器（SSCB）利用 SiC 高速开关特性可实现微秒级故障切断，对 AI 数据中心 800VDC 供电架构的安全保护至关重要。

状态：已查证
来源：人民网浙江频道

http://zj.people.com.cn/n2/2026/0906/c370990-41688169.html

4. 瞻芯电子第三代 SiC MOSFET 累计交付超 3000 万颗，3.3kV 产品落地，2.3kV/10kV 在研

企查查 9 月 6 日更新信息显示，国产 SiC 器件龙头瞻芯电子第三代 SiC MOSFET 已累计交付超 3000 万颗，覆盖 650V—3300V 全电压平台。其中 1200V 第三代平台已打造出 10~150mΩ 完整产品矩阵，赢得多家 Tier1 客户主驱项目定点；3.3kV SiC MOSFET 已通过多家核心客户全流程可靠性验证，斩获国际头部轨道交通客户订单；同步推进 2.3kV、10kV SiC 工艺平台研发。公司还推出隔离型智能栅极驱动芯片，形成 "器件 + 驱动" 一站式方案。

状态：已查证
来源：企查查｜瞻芯电子官网｜NE 时代

https://www.qcc.com/crun/8511253af5569ef4bf174b1dab28501b.html

5. 2026 世界动力电池大会在宜宾举办，超快充技术成核心亮点，SiC 是关键支撑

2026 世界动力电池大会 9 月 3 日在四川宜宾开幕，9 月 6 日人民日报报道大会成果。本届大会以 "电驱万物・融合共生" 为主题，发布了超快充动力电池技术、高比能混合固液电池技术等创新成果。超快充技术的规模化落地对车载功率器件提出更高要求 ——800V/1000V 高压平台下，SiC MOSFET 凭借低开关损耗、高导热率成为超快充电驱和 OBC 的核心器件。宜宾已建成动力电池产能 270GWh，今年三季度将突破 300GWh。

状态：已查证
来源：人民日报｜人民数据

http://data.people.com.cn/rmrb/20260907/5/27c25f6898c84462b1da56c2c22cf233

6. 士兰微 8 英寸 SiC 产线通线，120 亿投资规划年产 72 万片，覆盖新能源车与 AI 服务器电源

士兰微电子 8 英寸碳化硅产线正式通线，项目总投资 120 亿元，分两期建设，全部达产后将形成年产 72 万片 8 英寸 SiC 芯片的生产能力。一期计划 2026—2028 年逐步产能爬坡，达产后年产 42 万片。产线重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI 服务器电源等领域。士兰微已形成杭州、厦门、成都三大制造基地布局，SiC 业务成为重要增长极。

状态：一方称（具体通线时间和产能爬坡进度以公司官方公告为准）
来源：哔哥哔特商务网｜东方财富

https://www.big-bit.com/magmob/JD202602-405229.html

行业趋势简评

周末行业动态围绕 "成熟验证 + 应用拓展" 两条主线展开。博测锐创董事长明确判断 "车规 SiC 已进入成熟期"，多家国内器件已上车主驱，这是行业从 "导入期" 进入 "成长期" 的关键信号；瞻芯电子 3000 万颗累计交付、3.3kV 产品落地则从出货量和电压等级两个维度验证了国产器件的成熟度。应用端，全国首届固态断路器研讨会聚焦 SiC 在 AI 算力中心直流供电中的应用，世界动力电池大会超快充技术发布，SiC 的应用场景正从车主驱向固态断路器、超快充、轨道交通等多领域扩散。整体看，SiC 行业正处于 "车规成熟验证完成 + 新兴应用场景打开" 的成长加速期。

4秒卖一台的机器鸭：Microduck的前世今生，和中国芯的意外出圈

Sun, 06 Sep 2026 22:54:09 +0800

深度 · 具身智能与芯片

2026年9月

一只25厘米高、售价399美元的塑料鸭子，正在成为2026年科技圈最意外的爆款。

8月27日晚，Hugging Face旗下机器人团队Pollen Robotics正式发布开源双足机器人Microduck。开售6小时，预订金额突破100万美元；首个24小时订单超过260万美元；峰值阶段平均每4秒就售出一台。截至9月初，预售订单已超过1万台，新订单的交货时间从承诺的"2026年圣诞节前"推迟到了4至6个月之后。

更值得玩味的是拆机之后的发现：这只风靡全球的"AI鸭"，"心脏"里跳动的是一颗来自上海瑞芯微的RK3566芯片。一只鸭子，把Hugging Face、英伟达、ARM和中国芯片公司串在了一条供应链上。

这篇文章，我们把Microduck的前世今生和最新进展讲清楚。

一、前世：从"AI界的GitHub"到造鸭子

要理解Microduck，得先从它背后的公司说起。

Hugging Face成立于2016年，最初做聊天机器人，后来转型为开源大模型的托管平台，开发者们习惯称它为"AI界的GitHub"。Transformers、数据集、模型权重——全球开源AI生态的很大一部分流量，都经过这家公司。它于2025年4月收购了法国机器人初创公司Pollen Robotics，正式切入硬件赛道。

收购后的第一款产品，是2025年推出的桌面机器人Reachy Mini：售价499美元，需要用户从头拼装，累计卖出了约1万台。这更像一次试水——验证"开源软件+低成本硬件"这条路走不走得通。

走通了。于是有了第二款产品Microduck。用联合创始人托马斯·沃夫的话说：人工智能不一定非得昂贵或令人害怕，它也可以是任何人都能打造和使用的、令人愉悦的伙伴。

二、今生：这只鸭子能做什么

Microduck高约25厘米，重约800克，单眼设计，提供奶油色、石墨色、薰衣草紫、天蓝色四种配色。它不是程序写死的玩具，而是一个完整的机器人平台：

动作能力：摇摆行走、下蹲、踢球、跌倒后自主站起，用喙抓取800克以内的轻量物体，还可以搭配39美元的滚轮配件"滑旱冰"；
传感器配置：摄像头、麦克风、扬声器、激光雷达、两个NFC读卡器、两个惯性测量单元，支持Wi-Fi和蓝牙；
独有声音身份：每台机器鸭首次启动时生成专属声音，并与这台设备永久绑定；
开源可训练：SDK、MuJoCo仿真环境、强化学习训练工具链全部在GitHub上以Apache 2.0许可开放，支持Python和JavaScript编程，开发者可以在仿真中训练新技能，再一键部署到真机。

Hugging Face CEO克莱芒·德朗格对它的定位是："首款可以通过强化学习教授新技能的平价AI机器人。"出厂数十条预设行为，开箱即玩；想深入，就自己教它新本事。

三、最新进展：卖断货的鸭子

Microduck的销售速度刷新了消费级机器人的纪录：

亮相约6小时，预订金额突破100万美元，相当于每4秒售出一台；
首个24小时订单超过260万美元（约合5000台以上）；
预售一度触达电商平台的UI上限，联合创始人托马斯·沃夫证实实际需求已超过统计数据；
截至9月初，预订单已超过1万台，销售额超过500万美元；
公司目标是售出2万台，首批产品计划圣诞节前发货，新订单交货时间预计4至6个月；
首发销售区域为北美、欧洲、日韩，中国大陆暂未进入官方名单。

爆单也带来了供应链压力。Microduck搭载的15个伺服电机来自韩国ROBOTIS的XL330型号——这家公司去年全年售出约22万个伺服电机，而仅Microduck当前的预购订单，就可能带来相当于其去年销量约70%的需求。沃夫开玩笑说："人们已经开始担心Microduck的供应链问题，下一步就该轮到马斯克携SpaceX来生产这些瓶颈零部件了。"

四、拆开鸭子：跳动的中国"芯脏"

这只法国团队设计、风靡欧美的机器鸭，核心计算单元是瑞芯微（603893.SH）的RK3566——一款2020年就发布的处理器，基于英国ARM的技术授权，板载1 TOPS算力的NPU，负责运行50Hz控制回路，驱动电机并管控摄像头与无线电模块。

单看算力，1 TOPS远不如英伟达边缘计算平台的几十TOPS。但Omdia首席分析师苏连杰指出，瑞芯微是端侧AI设备的"关键供应商"，其芯片广泛用于机器视觉、目标检测和图像识别场景——对于一只需要"看懂"世界、成本敏感的机器鸭来说，够用且便宜。

这颗芯片的性价比有多突出？有分析指出，Microduck仅1GB内存的成本，就占了整机售价的10%至15%——在399美元的定价下，每一颗物料的成本控制都至关重要。

消息传出后，A股的瑞芯微连续两日上涨，五个交易日累计涨幅约15%。而瑞芯微刚刚披露的半年报同样亮眼：上半年营业收入同比增长40%至28.8亿元，扣非净利润增幅超过60%。机器人订单带来的业绩弹性，正在端侧AI芯片公司身上逐步兑现。

五、暗线：英伟达的129亿美元

Microduck发布的时机颇为微妙——就在它亮相前一天，据The Information报道，英伟达正在洽谈以129亿美元收购Hugging Face。如果交易成真，这将意味着英伟达将拥有一家搭载中国芯片的机器人公司。

这笔潜在收购的逻辑并不难理解。英伟达的商业模式核心是卖算力，而具身智能是下一个巨大的算力增量市场：训练机器人策略需要在仿真环境中进行数百万甚至数亿次强化学习迭代，每一次迭代都要消耗GPU。Microduck的开发流程正是典型范例——在MuJoCo中模拟、训练、验证，再部署到真机。

换句话说，每卖出一台Microduck，就可能多一位未来的GPU算力消费者。399美元的鸭子，是物理AI生态的入场券：它与英伟达用CUDA锁定AI开发者、谷歌用Android铺开移动生态的打法，思路一脉相承。

六、冷思考：鸭子的天花板

热度之外，也要看到Microduck的边界：

算力天花板。1 TOPS的NPU决定了它无法运行复杂的大模型推理，它更多是强化学习策略的执行端，而非通用智能体。

场景局限。25厘米的身高和800克的抓取能力，锁定了它的应用场景——它适合教育和开发者实验，不可能承担工业任务。分析师普遍将其归类为"学习与实验平台"，而非实用工具。

隐私问题。带摄像头和麦克风的机器人进入家庭空间，天然引发担忧。开源可审计是Hugging Face给出的答案，但第三方应用的数据流向，仍是所有消费级摄像头设备的共同难题。

供应链与交付。订单排到4至6个月后，伺服电机等瓶颈部件能否跟上节奏，将直接影响2万台目标的达成。

七、写在最后

在人形机器人动辄2万美元起步的当下，一只399美元、会滑旱冰、摔倒了能自己爬起来的机器鸭，用另一种方式回答了"具身智能如何走进生活"：把机器人做得足够小、足够轻、足够便宜，让试错成为学习的一部分。

而对于半导体行业的人来说，Microduck提供了一个鲜活的样本：一颗2020年发布的国产端侧芯片，借着一只鸭子站上了全球科技舞台的中心位置。壁垒可以筑高，但商业总会找到最短的路径——供应链的深度交织，从来不会因为一句口号而改变。

延伸了解（新窗口打开）：Pollen Robotics官网

参考资料：科创板日报、CNBC、新浪财经、钛媒体、IT之家等公开报道。

本期内容到此结束。

半导体精选008 | 长鑫DRAM市占首破10%、台积电同建20座工厂、铠侠310亿美元建NAND厂、磷化铟项目密集落地

Sun, 06 Sep 2026 22:15:04 +0800

本周半导体行业资讯更新：长鑫存储DRAM市占率首次突破10%；台积电同步建设近20座晶圆厂；铠侠宣布310亿美元NAND建厂计划；长江存储IPO进入问询阶段；微软发布Maia 200 AI加速器；DeepSeek采购16万颗昇腾芯片；磷化铟项目密集落地南京、绍兴……从502篇行业资讯中精选24篇，按六大专题整理。

一、重大产业事件

市占突破、巨额建厂、IPO进展——本周产业动态

01 长鑫存储，DRAM市占首破10%
天天IC · 09-06

长鑫存储DRAM市场份额首次突破10%，国产存储厂商在全球DRAM市场的地位持续提升，背后是产能扩张与产品结构的持续优化。

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02 铠侠砸310亿美元建NAND厂，全球前三让给长江存储的背后
锐芯闻 · 09-03

铠侠宣布310亿美元NAND建厂计划，但NAND市场格局已发生变化：长江存储跻身全球前三，国产NAND厂商的市场竞争力持续增强。

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03 疯狂的台积电，同时建20个晶圆厂
半导体行业观察 · 09-03

台积电同步推进近20座晶圆厂建设，AI需求驱动的先进制程与先进封装产能竞赛全面展开，设备需求在半年内翻倍。

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04 长江存储，IPO已问询
天天IC · 09-04

长江存储IPO进入问询阶段，上市进程持续推进。作为国产NAND龙头，其上市进展受到资本市场和产业链的广泛关注。

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二、AI与芯片前沿

Maia 200、昇腾采购、Crescent Island、大摩报告——AI算力竞争持续

05 微软Maia 200重构AI加速器
芯联汇 · 09-06

微软发布Maia 200 AI加速器，从线程计算走向软件定义数据流架构，自研AI芯片成为云厂商降低算力成本的关键路径。

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06 DeepSeek，采购16万颗昇腾芯片
天天IC · 09-05

DeepSeek采购16万颗昇腾芯片用于算力建设，国产AI芯片在头部大模型公司的算力体系中的地位持续提升。

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07 Intel发布Crescent Island GPU，针对Agentic AI推理优化
锐芯闻 · 09-04

Hot Chips 2026上，英特尔发布Crescent Island GPU，专门针对Agentic AI推理场景优化，英特尔在AI推理赛道加速布局。

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08 系统级追赶：大摩看中国AI芯片的破局之路
天天IC · 09-06

摩根士丹利发布报告分析中国AI芯片的发展路径：在单芯片制程受限的情况下，通过系统级创新（超节点、先进封装、Scale Up）实现追赶。

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三、存储与先进封装

HBM变局、混合键合、封测格局——存储与封装动态

09 HBM，生变
半导体行业观察 · 09-05

HBM市场格局出现新变化：英伟达HBM策略调整、三星市占回升、海力士HBM4E产线外迁，存储三巨头在HBM领域的竞争进入新阶段。

查看原文 →

10 6张图讲清楚混合键合，真正爆发在何时？
锐芯闻 · 09-04

混合键合（Hybrid Bonding）被视为下一代封装的核心技术，图文形式解析其工艺原理、应用场景与产业化时间表。

查看原文 →

11 三星HBM市占飙升，直逼SK海力士
半导体行业观察 · 09-04

三星HBM市占率快速提升，直逼SK海力士。HBM市场从一家独大转向双雄竞争，产业链话语权格局正在重塑。

查看原文 →

12 通富微电净利增长317%登顶，封测三巨头变天
芯思考力 · 09-02

封测三巨头半年报对比：通富微电净利增长317%登顶利润榜，长电科技营收增速放缓，封测行业的竞争格局出现新变化。

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四、技术深度解读

3D-DRAM、混合键合、SiGe源漏、环栅FET——先进技术解析

13 Hot Chips 2026：基于3D-DRAM，能颠覆HBM吗
锐芯闻 · 09-03

Hot Chips 2026上的3D-DRAM方案引发关注：通过3D堆叠DRAM实现更高带宽与更低功耗，被视为HBM的潜在挑战者。

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14 基于混合键合（Hybrid Bonding）的W2W与D2D
资深半导体人 · 09-04

系统对比基于混合键合的W2W（晶圆对晶圆）与D2D（芯片对芯片）键合技术，覆盖工艺原理、对准精度与应用场景。

查看原文 →

15 SiGe深度剖析（十）：源漏为什么要分成Seed、Bulk和Cap
学晶圆 · 09-05

SiGe深度剖析系列第十篇，解析SiGe源漏外延的Seed、Bulk、Cap三层结构设计，每一层都在解决不同的工艺与器件问题。

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16 14nm以后的器件技术：纳米线环栅FET与高迁移率沟道材料
Jeff的芯片世界 · 08-31

从FinFET到GAA环栅FET的演进路径，以及高迁移率沟道材料在14nm以下节点的应用前景，是理解先进制程器件技术的重要资料。

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五、SiC与功率半导体

SiC业绩、12英寸布局、GaN交付——功率器件动态

17 基本半导体上市首份成绩单：SiC MOSFET收入增长582%
功率半导体生态圈 · 09-02

基本半导体交出上市后首份成绩单，SiC MOSFET收入增长582%，国产SiC器件厂商在新能源汽车等领域的放量持续加速。

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18 比亚迪半导体发布V-305B碳化硅模块
功率半导体生态圈 · 09-03

比亚迪半导体发布新一代V-305B碳化硅功率模块，车规级SiC模块产品线持续完善，垂直整合优势进一步显现。

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19 近30家SiC企业布局12英寸产品
行家说三代半 · 09-03

近30家SiC产业链企业布局12英寸产品，SiC衬底从6英寸向8英寸及更大尺寸演进，大尺寸化成为降低成本的关键路径。

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20 英诺赛科：GaN营收超8亿，累计交付芯片25亿颗
行家说三代半 · 08-31

英诺赛科GaN营收超8亿元，累计交付芯片25亿颗，国产GaN功率器件在快充、数据中心、机器人等场景的出货规模持续扩大。

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六、材料与供应链

磷化铟、薄膜铌酸锂、掩膜版——材料领域动态

21 磷化铟需求增长，国内厂商实现技术突破
半导体行业前沿 · 09-01

AI光互连需求带动磷化铟需求快速增长，国内厂商在InP衬底与外延技术上持续突破，产业链国产化进程加速。

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22 50亿元，6条4英寸磷化铟芯片线落户南京
今日半导体 · 09-02

总投资50亿元的6条4英寸磷化铟芯片线落户南京，同期绍兴6英寸磷化铟衬底项目落地，磷化铟产能建设进入密集落地期。

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23 薄膜铌酸锂深度研究报告：AI算力驱动下的下一代光调制平台
半导体在线 · 09-06

薄膜铌酸锂（TFLN）深度研究报告：AI算力驱动下，TFLN凭借高带宽、低功耗优势成为下一代光调制器平台的核心材料。

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24 国产化率仅10%，掩膜版的国产突围战
半导体在线 · 09-01

掩膜版（光罩）国产化率仅约10%，高端掩膜版依赖进口。随着先进制程需求增长，掩膜版成为国产替代的重要方向。

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本期半导体精选到此结束

24篇文章覆盖6大专题，整理本周行业资讯

半导体芯片制造知识 · 每周精选

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/5

Sun, 06 Sep 2026 06:22:23 +0800

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 5 日 08:00 — 9 月 6 日 08:00（北京时间）注：周末行业新闻发布较少，部分 9 月 4 日发布、仍在持续发酵的重要动态一并纳入。

1. 美国 BIS 发布临时最终规则，扩大商业级 SiC/GaN 功率半导体出口许可范围

美国商务部工业与安全局（BIS）于 7 月 27 日发布临时最终规则，扩大对用于高功率密度和高频开关应用的商业级 SiC 和 GaN 功率半导体产品的出口许可要求。9 月 5 日行业媒体深度解读：涉及跨境出口或再出口至中国的 SiC/GaN 器件将面临更长的许可证审查周期，中国厂商若依赖美国原产设计工具、测试设备或与美方联合研发，可能在产品认证周期上遭遇延迟。这是继 8 月 6 日将 SiC/GaN 模块列入商业管制清单后，美国在功率半导体出口管制领域的又一升级动作。

状态：已查证
来源：SiliconCore Metrics｜美国商务部 BIS

https://www.qishuai-cn.com/news/Integrated_Circuits/Power_Semiconductors_SiC_GaN_/U_S_Tightens_EAR_Licensing_for_SiC_GaN_Power_Chips.html

2. 博世加州工厂正式启动 SiC 芯片样品生产，获 2.25 亿美元 CHIPS 法案补贴

博世在位于美国加州罗斯维尔、耗资 20 亿美元改造的半导体工厂正式启动碳化硅芯片样品生产，这是全球最大汽车供应商首次在美国本土制造芯片。该项目获得美国联邦 CHIPS 法案 2.25 亿美元补贴，目标是为电动汽车、混合动力车、国防及 AI 数据中心建立本土 SiC 供应链，商业量产计划于年内启动。标志着全球 SiC 产能格局从 "亚欧主导" 向 "美洲落地" 进一步扩展。

状态：已查证
来源：Global Current News（GCN）

https://gcn.com/bosch-begins-silicon-carbide-chip-sample/21394/

3. 博测锐创发布 12.5KV 超高压功率器件测试分析仪，覆盖 SiC/GaN 击穿与静态特性检测

在宜宾世界动力电池大会期间，博测锐创半导体科技（苏州）正式发布 12.5KV 超高压功率器件测试分析仪，覆盖 SiC/GaN 器件的击穿电压与静态特性检测，补齐产线测试短板。公司董事长邱宇峰表示，功率半导体正朝宽禁带和更高电压更大功率两个方向发展，用户迫切需要万伏级器件的动态特性测试分析技术。该设备填补了国产超高压 SiC/GaN 测试装备空白。

状态：已查证
来源：科创板日报｜2026 世界动力电池大会

http://m.toutiao.com/group/7681845596352676402/

4. 行业分析：车规 SiC 供应链正经历定价重置，AI 订单挤占车规产能

SiliconCore Metrics 9 月 4 日发布深度分析指出，当前车规级 SiC 供应链正经历定价重置。过去 18 个月 SiC 价格从高位下行到触底企稳，而当前 AI 算力需求爆发对成熟制程产能形成 "虹吸效应"，海外大厂优先将稀缺产能供给高端 AI 算力订单，直接造成车用工控领域产能紧缺、交期拉长。车规 SiC 价格将从 "全面价格战" 转向 "结构性分化"—— 高规格产品价格坚挺，中低端仍面临竞争压力。

状态：一方称（行业分析观点，具体价格数据待验证）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/Integrated_Circuits/Power_Semiconductors_SiC_GaN_/Automotive_SiC_supply_chain_news_points_to_a_pricing_reset.html

5. 芯联集成与理想汽车战略合作升级，8 英寸 SiC 晶圆成功下线

芯联集成（688469）与理想汽车 9 月 3 日签订新一轮战略合作协议，双方共同见证 8 英寸碳化硅晶圆成功下线，合作应用从整车电驱动延伸至车载热管理系统。芯联集成已完成 650V 至 3300V 全电压段 SiC MOSFET 布局，3300V SiC 已向核心客户送样验证，可实现系统级 BOM 成本降低 20%-35%。此次合作标志着国产 8 英寸 SiC 晶圆在头部新势力车企的量产落地进一步加速。

状态：已查证
来源：凤凰网科技｜IT 之家

https://tech.ifeng.com/c/8w9gkNHZ33m

6. 天岳先进 H 股全球发售募资 22.38 亿港元，重点扩大 8 英寸及以上 SiC 产能

证券之星 9 月 6 日周度复盘显示，全球 SiC 衬底龙头天岳先进 H 股全球发售所得款项净额约 22.38 亿港元，主要用于扩大 8 英寸及以上碳化硅产能、研发及海外基地建设。公司 Q2 单季营收 5.48 亿元创单季新高，毛利率提升至 25.4%，归母净利润转正。目前 8 英寸导电型衬底全球市占率 51.3%，12 英寸全系列获头部客户订单，马来西亚海外工厂进入建设筹备阶段。

状态：已查证
来源：证券之星｜公司公告

http://m.toutiao.com/group/7682102700809191977/

7. 北京晶格领域申请 SiC 单晶生长径向温度梯度调控专利，提升大尺寸晶体良率

国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体申请的 "动态调节气相法生长碳化硅单晶径向温度梯度的装置及方法" 专利于 9 月 5 日公开。该专利实现了 SiC 晶体生长过程中的径向温度动态调控，有助于改善大尺寸单晶结晶质量、降低缺陷密度、提升良率。随着行业向 8 英寸 / 12 英寸大尺寸演进，温度场精准控制已成为提升良率和降低成本的关键瓶颈。

状态：已查证
来源：网易科技｜国家知识产权局

https://tech.163.com/keywords/7/b/78b353167845/1.html

行业趋势简评

周末行业动态虽数量有限，但政策与产能两条主线信号明确。政策端，美国 BIS 7 月 27 日临时最终规则扩大 SiC/GaN 出口许可范围，叠加此前 8 月 6 日商业管制清单，美国对功率半导体的出口管制正从 "模块级" 向 "器件级" 延伸，国产替代紧迫性进一步提升。产能端，博世美国工厂 SiC 样品生产启动、天岳先进 H 股募资 22 亿港元扩产，全球 SiC 产能正朝 "多区域布局 + 头部集中" 方向演进。值得注意的是，SK Siltron 7 月宣布全面退出 SiC 赛道（近期社交媒体再次传播），叠加海外大厂产能被 AI 订单挤占，全球有效供给收缩与需求多点开花形成共振，车规 SiC 供应链正经历从 "价格战" 到 "结构性定价重置" 的关键转折。

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/4

Sat, 05 Sep 2026 08:11:03 +0800

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 4 日 08:00 — 9 月 5 日 08:00（北京时间）

1. 扬杰科技获 195 家机构调研：SiC 收入近翻倍，海外大厂产能被 AI 挤占，车规器件供给紧张国产化提速

扬杰科技（300373）9 月 4 日披露接待 195 家机构调研公告。2026 上半年实现营收 45.15 亿元，同比增长 30.69%；归母净利润 7.71 亿元，同比增长 28.18%。其中汽车电子业务收入同比增长超 100%，SiC 业务收入同比增长近翻倍。公司明确指出：当前海外大厂产能持续被 AI 算力业务挤占，车规级 SiC 器件供给紧张、交期拉长，国产化替代节奏显著提速，行业结构性机遇凸显。公司已取得多家国际标杆整车厂和 Tier1 厂商认证，新设 AI 事业部，多款产品推进客户认证。

状态：已查证
来源：金融界｜上交所机构调研公告

http://m.toutiao.com/group/7681686989175849491/

2. 天岳先进获 36 家机构调研：Q2 营收 5.48 亿创单季新高，大尺寸产品占比持续提升，AI 算力成新增长引擎

全球 SiC 衬底龙头天岳先进（688234）9 月 4 日披露接待 36 家机构调研。2026 上半年营收 9.14 亿元同比 + 15.1%，Q2 单季营收 5.48 亿元环比增长约 50%，归母净利润实现转正，毛利率提升至 25.4%。公司表示大尺寸产品销售占比进一步提升，产品价格逐步趋于稳定。下游需求方面，新能源汽车仍是重要应用领域，AI 算力基础设施持续扩建对高效率、高功率密度功率器件需求增加，碳化硅在工业电源、光伏储能等场景应用也在逐步拓展。

状态：已查证
来源：金融界｜上交所机构调研公告

http://m.toutiao.com/group/7681596806496600591/

3. 台湾 Taisic 发布 p 型 SiC 衬底，面向超高压电网、轨交及大功率电力应用

DIGITIMES 9 月 4 日报道，肯美集团旗下 Taisic Materials 于 9 月 2 日正式发布 p 型碳化硅（SiC）衬底产品，面向智能电网、轨道交通、大功率电力电子等超高压应用场景。p 型衬底是制造高压 SiC IGBT 等器件的关键基础材料，此前行业主流为 n 型导电衬底，p 型产品的突破填补了超高压器件产业链的上游空白。Taisic 近期刚使用自研长晶炉拉出台湾首颗 12 英寸 SiC 晶锭，此次 p 型衬底发布进一步完善了其产品矩阵。

状态：已查证
来源：DIGITIMES Asia

https://apps.digitimes.com/news/a20260902PD238/sic-taisic-substrate-kenmec-materials.html

4. 行业全景：近 30 家 SiC 企业布局 12 英寸产品，大尺寸产业化进程全面加速

据行家说三代半白皮书调研，国内已有近 30 家企业布局 12 英寸碳化硅产品，覆盖衬底、外延、器件全链条。近期又有稳晟新材料、汉民科技两家企业实现 12 英寸 SiC 衬底技术突破。目前天岳先进 12 英寸全系列已获头部客户订单，三安光电 12 英寸衬底已送样验证，露笑科技制备出 12 英寸单晶样品，环球晶开发出 12 英寸方形 SiC 晶圆，瀚天天成 12 英寸外延拿到小批量订单。大尺寸化是 SiC 行业降本增效的核心路径，12 英寸产业化正从 "技术验证" 向 "小批量交付" 过渡。

状态：已查证
来源：电子工程专辑｜行家说三代半｜与非网

https://www.eet-china.com/mp/a522328.html

5. 英飞凌 CoolSiC MOSFET 供货 Fox ESS，户用储能系统效率提升至 98.47%，开关损耗降低 70%

英飞凌宣布向储能厂商 Fox ESS 供应 CoolSiC 1200V G2 MOSFET（Q-DPAK 封装），用于其光伏户用储能系统。采用 SiC 器件后，Fox ESS 储能系统的开关损耗降低 70%，最大效率达到 98.47%。这一合作标志着 SiC 在户用储能领域的渗透加速，随着光储一体化趋势发展，SiC 在中小功率储能场景的经济性拐点正在到来。

状态：已查证
来源：pv magazine Germany｜ARIVA.DE

https://www.pv-magazine.de/2026/09/04/fox-ess-steigt-mit-siliziumkarbid-technologie-von-infineon-die-effizienz-seiner-heimspeicher-auf-bis-zu-9847-prozent/

6. NoMIS Power 扩展高压 SiC 路线图至 20kV IGBT，6.5kV MOSFET 计划 Q4 量产

美国 NoMIS Power 9 月 4 日宣布扩展高压 SiC 器件路线图，从已量产的 3.3kV MOSFET 延伸至 6.5kV、10kV 乃至 20kV SiC IGBT。其中 6.5kV SiC MOSFET 已完成演示（阻断电压超 8kV、90mΩ、55A），计划 2026 年 Q4 进入标准量产；10kV 及以上器件同步开发中，Q4 开始送样。目标应用包括高压直流输电（HVDC）、固态变压器、脉冲功率、轨交牵引和 MW 级 EV 超充。这是 SiC 器件向中高压电网级应用进军的重要进展。

状态：已查证
来源：everything PE｜NoMIS Power 官方

https://www.everythingpe.com/news/details/11975-nomis-power-expands-high-voltage-sic-roadmap-to-20-kv-igbt-development

7. 芯联集成与理想汽车签署新一轮战略合作，8 英寸 SiC 晶圆成功下线

芯联集成（688469）与理想汽车近期开展深度战略合作交流，双方共同见证 8 英寸碳化硅晶圆成功下线，并签订新一轮战略合作协议。合作产品应用场景从整车电驱动进一步延伸至车载热管理系统等领域。芯联集成已完成 650V 至 3300V 全电压段 SiC MOSFET 产品布局，3300V SiC 已向核心客户送样验证，可实现系统级 BOM 成本降低 20%-35%。此次合作升级标志着国产 8 英寸 SiC 晶圆在头部新势力车企的量产落地进一步加速。

状态：一方称（具体下线时间和量产规模待官方确认）
来源：新浪财经｜第三代半导体产业

http://m.toutiao.com/group/7681325019191919123/

行业趋势简评

过去 24 小时行业动态的核心主线是 "景气度验证 + 大尺寸加速 + 高压化突破" 三线并行。扬杰科技 195 家机构调研、天岳先进 36 家机构调研，两家头部企业共同验证了 SiC 行业从 "价格战" 进入 "量价齐升" 的景气上行周期，海外大厂产能被 AI 挤占导致车规供给紧张，国产替代窗口正式打开。技术端，Taisic p 型衬底、NoMIS 20kV 路线图显示 SiC 正向电网级超高压应用延伸；产业端，近 30 家企业布局 12 英寸、芯联集成 8 英寸晶圆下线，大尺寸产业化全面提速。此外，SiC 在 AR 光波导领域的应用（广纳四维、阿法龙 8 英寸产线）也在悄然兴起，碳化硅的应用边界正从功率电子向光学领域拓展。

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/3

Fri, 04 Sep 2026 10:10:00 +0800

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 3 日 08:00 — 9 月 4 日 08:00（北京时间）

1. DIGITIMES 独家：中国 6 英寸 SiC 衬底供应结构性收紧，价格即将上涨

DIGITIMES 9 月 3 日独家报道，中国 6 英寸碳化硅衬底市场正经历结构性供需反转。在下游需求持续增强而产能重启有限的双重作用下，供应已转为紧张状态，价格预计将进入上行通道。这一变化标志着持续近两年的 SiC 衬底价格战和库存消化周期可能正式结束，行业从 "供过于求" 转向 "供需紧平衡"。衬底作为 SiC 芯片成本占比最高的环节（约 40-50%），其价格走势将直接影响中游器件厂商的毛利率和下游终端的采购成本。

状态：已查证（DIGITIMES 独家报道，记者 Nuying Huang）
来源：DIGITIMES

https://www.digitimes.com/news/a20260903PD235.html?chid=10

2. 美国商务部 BIS 内部备忘录提议对 SiC/GaN 功率器件实施更严格出口许可，聚焦 AI 服务器、EV 充电和 L4 自动驾驶

美国商务部工业与安全局（BIS）一份日期为 5 月 6 日的内部备忘录被披露，提议将用于 AI 服务器电源、大功率 EV 充电桩（≥150kW）和 L4 自动驾驶域控制器的 SiC/GaN 功率半导体模块列入 "新兴技术出口管制优先清单"，引入新的最终用途尽职调查要求和强制最终用户授权程序。目前该提案尚未正式立法，也未发布联邦公报通知，但反映出美国出口管制正从 "broad 技术类别限制" 转向 "按使用场景精准管控"。若正式落地，中国厂商向特定地区出口相关模块将面临数周的许可证审查延迟。

状态：一方称（BIS 内部备忘录被媒体披露，尚未正式立法；具体执行细节待官方确认）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/Integrated_Circuits/Power_Semiconductors_SiC_GaN_/US_Commerce_Dept_Proposes_Stricter_Export_Licensing_for_SiC_GaN_Power_Devices.html

3. 华润微机构调研：SiC 业务上半年营收翻番，汽车 + 储能占比 85%，计划通过投资并购锁定产能

华润微（688396）9 月 3 日披露接待 10 家机构调研公告，核心要点：① SiC 业务上半年营收同比翻番以上增长，汽车和储能终端收入占比合计达 85%，SiC MOS 产品毛利率表现更优；② 公司判断行业景气度进入 "上行长周期"，AI 赋能自动驾驶、具身智能、算力基础设施等场景带动功率半导体需求快速增长，而新增产能释放有限，供需缺口预计持续扩大；③ 今年已实施两轮产品涨价（2 月、7 月），第二轮涨幅和覆盖范围均大于第一轮，三季度涨价效应将进一步显现；④ 自有 SiC 产能有限，正积极寻求外协产能，后期计划通过投资并购、参股等方式锁定产能。

状态：已查证（上交所机构调研公告）
来源：金融界｜今日头条

http://m.toutiao.com/group/7681266964228096555/

4. IDTechEx：到 2036 年 SiC 将成为主导功率半导体材料，功率电子市场规模达 652 亿美元

国际研究机构 IDTechEx 在最新报告《Power Electronics Market 2026-2036》中预测，全球功率电子市场将从 2026 年的 255 亿美元增长至 2036 年的 652 亿美元，年复合增长率 10%。核心驱动力来自电动汽车和数据中心。报告明确指出，SiC 将在 2036 年成为主导功率半导体材料，SiC MOSFET 将占据 EV 牵引逆变器、车载充电机（OBC）和 DC-DC 转换器市场的多数份额。GaN 在 EV 领域也有显著潜力，但其车用 adoption 仍取决于长期可靠性验证。该预测为 SiC 行业的长期成长空间提供了权威数据支撑。

状态：已查证（IDTechEx 研究报告，Semiconductor Today 报道）
来源：Semiconductor Today｜IDTechEx

5. 浙江大学 SiC 光波导新突破：AI 驱动超光栅设计实现 75° 视场角，消除鱼骨伪影，成果发表于《Science Advances》

浙江大学光电科学与工程学院郑臻荣教授团队与合作者在《Science Advances》发表最新研究成果，利用人工智能驱动的超光栅逆向设计，基于碳化硅（SiC）材料研制出单层全彩 AR 光波导，实现 75° 超宽视场角，同时彻底消除困扰行业已久的 "鱼骨伪影" 和彩虹效应。SiC 材料凭借超高折射率（约 2.6），理论上可支持 80° 以上视场角，远超传统玻璃 / 树脂波导的 40° 极限。此次突破标志着 SiC 从功率半导体向 AR 光学等新兴消费电子领域延伸，为碳化硅衬底开辟了全新应用场景。

状态：已查证（学术论文发表于 Science Advances，行家说 / 电子工程专辑报道）
来源：行家说三代半｜电子工程专辑

6. MCC 推出 1200V SiC 肖特基二极管 SICWT15120G5M-BP，面向高压功率转换

Micro Commercial Components（MCC）9 月 3 日推出新型 1200V 碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）SICWT15120G5M-BP，面向高压功率转换应用。该器件采用 MPS（Merged PiN Schottky）SiC 技术，具备零反向恢复电流、高温下稳定的开关性能、低正向压降等特性，适用于光伏逆变器、储能 PCS、工业电源、EV 充电桩等场景。器件采用行业标准 TO-247AB 封装，支持有效散热和便捷的散热器集成。

状态：已查证（厂商产品发布）
来源：everything PE

https://www.everythingpe.com/news

7. 欧盟《芯片法案》首笔拨款落地：2.1 亿欧元支持英飞凌与意法半导体合建 8 英寸 SiC 产线

欧盟委员会正式批准《芯片法案》框架下首笔公共补贴，拨款 2.1 亿欧元支持英飞凌（Infineon）与意法半导体（STMicroelectronics）联合建设的 8 英寸 SiC 晶圆厂。该产线专门面向车规级 650V 和 1200V SiC MOSFET 器件的大规模量产，是欧洲强化本土功率半导体供应链的关键项目。这标志着欧盟从政策部署进入实际制造能力建设阶段，与美国 CHIPS 法案补贴博世加州 SiC 工厂形成跨大西洋呼应。

状态：已查证（欧盟委员会 5 月 30 日正式宣布，9 月 3 日行业媒体跟进解读）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/EU_Chips_Act_First_Grants_Awarded_210M_for_SiC_Power_Module_Line.html

行业趋势简评

过去 24 小时行业动态的核心关键词是"拐点确认"：供需端，DIGITIMES 独家报道 6 英寸 SiC 衬底供应收紧、价格将涨，叠加华润微确认行业进入 "上行长周期" 并已实施两轮涨价，持续近两年的价格战周期可能正式结束；政策端，美国 BIS 拟按使用场景对 SiC/GaN 实施更严格出口许可，欧盟芯片法案首笔拨款落地，全球贸易壁垒和本土制造补贴同步升级；技术端，浙江大学 SiC 光波导 75° 视场角突破，IDTechEx 预测 2036 年 SiC 成主导材料，SiC 的应用边界正从功率电子向 AR 光学等新领域拓展。整体看，SiC 行业正处于 "价格周期触底回升 + 应用场景多元扩张 + 全球供应链重构" 的三重拐点交汇期。

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/2

Wed, 02 Sep 2026 10:08:23 +0800

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 2 日 08:00 — 9 月 3 日 08:00（北京时间）

1. 博世美国加州工厂启动 SiC 芯片样品生产，获 2.25 亿美元 CHIPS 法案补贴，商业量产年内启动

德国博世在其位于美国加州、耗资 20 亿美元改造的半导体工厂正式启动碳化硅芯片样品生产。该项目获得美国联邦 CHIPS 法案 2.25 亿美元补贴，目标是为电动汽车、混合动力车、国防及 AI 数据中心建立本土 SiC 供应链，商业量产计划于今年晚些时候开始。这是博世在北美首个 SiC 芯片制造基地，标志着全球 SiC 产能格局从 "亚欧主导" 向 "美洲落地" 扩展，也反映出美国在功率半导体领域加速本土化布局。

状态：已查证（TechShots 报道，博世官方确认）
来源：TechShots

https://www.techshotsapp.com/business/silicon-valley-meet-silicon-carbide-bosch-boots-up-first-us-chip-plant

2. 基本半导体上市首份半年报：SiC MOSFET 收入激增 582%，毛利率由负转正

港股 "碳化硅芯片第一股" 基本半导体（09971.HK）交出上市后首份成绩单：2026 上半年实现营收 1.21 亿元，同比增长 15.5%；整体毛利率由去年同期的 -28.8% 转正至 2.8%，大幅改善 31.6 个百分点。其中工业级 SiC 功率模块收入同比暴增 2825%，SiC 分立器件收入同比增长 161%。公司与汉磊科技达成 8 英寸 SiC 晶圆量产合作，上市后一个月内完成市场策略调整、产能扩张和技术升级 "三连击"，在功率半导体同行利润普遍下滑背景下实现逆势增长。

状态：已查证（港交所半年报，上海证券报报道）
来源：上海证券报｜集邦化合物半导体

3. Nexperia（安世半导体）与 Aurobay（吉利 / 雷诺合资）探索 SiC/GaN 汽车功率半导体战略合作

荷兰 Nexperia 宣布与 Aurobay Technologies（极光湾科技，浩思动力旗下，由吉利、雷诺集团与沙特阿美合资）探索汽车先进功率半导体战略合作，将 Nexperia 在 GaN 和 SiC 领域的技术积累与 Aurobay 在动力总成系统设计集成方面的能力相结合，覆盖牵引逆变器和发电系统。双方已有合作基础 ——Aurobay 已在增程器应用中采用 Nexperia GaN 器件，此次合作旨在将宽禁带半导体更深地嵌入电气化动力总成。这是国际器件厂商与中国背景车企动力总成公司的重要联手，反映 SiC 上车从 "器件供应" 向 "系统级协同" 演进。

状态：已查证（Nexperia 官方新闻稿，多家国际媒体报道）
来源：Nexperia｜Compound Semiconductor｜新浪科技

4. 产业链调研：天科合达、AOS、宇泉半导体、创锐光谱四家企业 SiC 业务集体告增，行业进入新一轮规模化放量周期

"行家说三代半" 调研显示，2026 年以来 SiC 产业景气度持续走高，从上游衬底、中游芯片到下游模块和检测设备全链条增长：① 天科合达（衬底）累计服务 500 余家客户，营收 / 订单 / 出货量同比大幅上升，部分订单锁定到更长期限；② AOS（芯片）SiC 出货显著提升，新能源车出口与 AI 电源为核心拉动力，预计 2027 年供应更紧张；③ 宇泉半导体（模块）在手订单突破 10 亿元、中长期框架订单超 13 亿元，工业变频 + SST 双轮驱动，二期 500 万只 / 年产线 2027 年初投产；④ 创锐光谱（检测）SiC 衬底位错缺陷无损检测设备海内外连续交付。多家企业判断下半年将维持满产满销，行业或现供需紧平衡。

状态：已查证（行家说三代半调研，宽禁带联盟转载）
来源：宽禁带半导体技术创新联盟｜今日头条

http://m.toutiao.com/group/7680737435965325851/

5. 比亚迪半导体发布 V-305B 封装 1000V 平台 SiC 功率模块，5.5nH 超低电感定义千伏电控新基准

比亚迪半导体 9 月 2 日发布 V-305B 封装 1000V 平台 SiC 功率模块，面向 1000V 全域高压新能源汽车平台。核心参数：1000V 工况下输出电流 650Arms+，满足大功率电驱与快充需求；采用 DC 正负极叠层引出设计，模块自身寄生电感低至 5.5nH，匹配外围拓扑可实现整机系统电感 <10nH，突破了限制 SiC 器件高压高频优势释放的杂散电感瓶颈。该产品标志着车规 SiC 模块从 800V 平台向 1000V 平台升级，有助于进一步提升电驱效率和快充速度。

状态：已查证（比亚迪半导体官方发布）
来源：电子工程专辑｜比亚迪半导体

6. NVIDIA 800VDC AIDC 2.0 架构持续发酵，SiC 成为 AI 数据中心供电核心器件

NVIDIA 于 8 月发布的《800VDC Architecture V2.0》白皮书持续在行业内发酵，9 月 2 日东南亚科技媒体深度解读：800VDC 高压直流已被确立为下一代 AI 工厂的标准供电架构，采用 34.5kV 中压直供 + 模块化功率块 + 固态保护方案，SiC 器件是实现高效电能转换的核心。NVIDIA 与 Google、Microsoft 通过 OCP 联合推进，已有超 80 家设备厂商参与。随着 Rubin 平台量产临近，AI 800V HVDC、PSU 及 800V 热插拔等应用对 SiC 的需求预计将在 2026 下半年至 2027 年集中释放，AOS 等厂商已观察到客户提前备货迹象。

状态：已查证（NVIDIA 官方白皮书，多家行业媒体解读）
来源：indonesian.semixlab｜NVIDIA 官方

7. 长飞光纤取得碳化硅长晶炉相关专利，紧凑结构适配受限车间布局

国家知识产权局信息显示，长飞光纤光缆取得 "碳化硅长晶炉炉盖升降旋转结构" 发明专利，该结构设计适配空间受限车间的紧凑布局，可在不增加占地面积的前提下实现炉盖的稳定升降与旋转操作，便于 SiC 晶体生长过程中的装料、维护和工艺调整。长飞光纤旗下长飞先进半导体已形成芜湖 + 武汉两大基地、年产能 42 万片 SiC 晶圆的制造能力，此次专利布局反映其在向上游长晶装备环节延伸、强化产业链自主可控能力。

状态：已查证（国家知识产权局公开信息）
来源：网易科技｜新浪财经

https://tech.163.com/keywords/7/b/78b353167845/1.html

行业趋势简评

过去 24 小时行业动态呈现 "产能落地 + 业绩验证 + 应用升级" 三线共振：产能端，博世美国工厂启动 SiC 样品生产、长飞光纤布局长晶炉专利，全球 SiC 制造能力向多区域扩散且装备自主化持续推进；业绩端，基本半导体毛利率转正、四家产业链企业集体报增，行业从 "投入期" 进入 "规模化放量兑现期" 的信号愈发明确；应用端，比亚迪 1000V SiC 模块发布、NVIDIA 800VDC 架构发酵、Nexperia 与车企动力总成深度合作，SiC 正从 800V 车主驱单一场景向 1000V 电驱、AI 数据中心供电、增程器等多场景加速渗透。整体看，SiC 行业正处于 "需求多点开花、供给紧平衡预期升温、大尺寸与高压化双轮驱动" 的景气上行通道。

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/1

Wed, 02 Sep 2026 09:45:44 +0800

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 1 日 08:00 — 9 月 2 日 08:00（北京时间）

1. 美国商务部将 SiC/GaN 功率半导体模块纳入出口管制，覆盖电动车、6G 基站、L4 自动驾驶

美国商务部工业与安全局（BIS）于 8 月 6 日发布临时最终规则，将用于电动汽车、6G 基站和 L4 自动驾驶平台的 SiC 和 GaN 功率半导体模块列入《商业管制清单》（CCL），对特定国家和地区出口实施许可证管理，规则即时生效。该措施直接影响中国厂商向中东、东南亚、拉美等市场出口高功率密度器件的合规路径与交付周期，出口交易将面临更严格的装运前审查，采购和项目交付需重新评估交期假设。目前实施细则、许可证审查标准和操作指引仍待进一步明确。

状态：已查证（规则已于 8 月 6 日生效，9 月 1 日行业媒体深度解读；具体执行细节待官方进一步澄清）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/integrated_circuits/power_semiconductors_sic_gan_/u_s_adds_sic_gan_power_chips_to_export_controls.html

2. 台湾 Taisic Materials 成功拉出首颗 12 英寸 SiC 晶锭，使用母公司 Kenmec 自研长晶炉，打破设备进口依赖

8 月 30 日，富士康投资的 Taisic Materials 使用母公司 Kenmec Mechanical Engineering 自主设计制造的长晶炉，成功生产出台湾首颗 12 英寸（300mm）碳化硅晶锭。此次突破的核心意义不仅在于晶锭尺寸，更在于长晶炉的完全国产化 —— 此前台湾 SiC 厂商的大尺寸长晶炉主要依赖美日进口，在半导体设备出口管制趋严背景下，自研炉具消除了产能扩张的外部单点依赖。Taisic 与母公司 Kenmec 预计将于 2026 年 10 月在台湾兴柜挂牌上市。目前全球 12 英寸 SiC 竞赛中，Wolfspeed 已于 2026 年 1 月宣布 300mm 突破，中国 SICC 已商业化供应 12 英寸衬底，天科合达已宣布 14 英寸研发进展，但全行业 12 英寸量产预计仍需到 2020 年代末。

状态：已查证（Cherumbu News 深度报道，Taisic/Kenmec 官方确认）
来源：Cherumbu News

https://cherumbu.com/auto/taiwan-breaks-silicon-carbide-equipment-dependency-with-first-12-inch-boule-cherumbu-news/

3. 瀚天天成：8 英寸 SiC 外延销量超去年全年，12 英寸获订单突破，上半年营收同比增 92%

全球碳化硅外延龙头瀚天天成（02726.HK）2026 半年报显示，上半年实现营收 5.78 亿元，同比增长 92%；经调整净利润 1.39 亿元，同比增长 43.4%。核心亮点：8 英寸 SiC 外延晶片上半年销量已超越 2025 年全年水平，采购 8 英寸产品的客户达 35 家，月产能超 6 万片；12 英寸产品全球首发后实现小批量订单突破。公司为全球首家实现 8 英寸 SiC 外延晶片大规模商业供应的企业，全球功率器件 TOP10 中有 8 家为其客户，AIDC（AI 数据中心）需求成为重要增长引擎。

状态：已查证（港交所半年报，多家财经媒体报道）
来源：集邦化合物半导体｜经济观察网｜新浪财经

4. 中微公司 CSEAC 2026 推出碳化硅外延等六款高端设备，平台化战略加速落地

9 月 1 日，在无锡举办的第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）上，中微公司发布多款全新自主研发高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键领域。这是继今年 3 月 SEMICON China 发布四款新品后，中微半年内第二次高密度新品集中亮相，实现先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节全覆盖。公司此前依托 Prismo HiTus 平台已实现 8 英寸 SiC 外延设备首台套交付，此次新品进一步强化在化合物半导体装备领域的布局。

状态：已查证（展会现场发布，多家媒体报道）
来源：财联社｜东方网｜金融界

5. 天岳先进披露 2026 中期报告：Q2 营收 5.48 亿创单季新高，亏损持续收窄

天岳先进（688234）9 月 1 日披露 2026 年中期报告，上半年实现营业收入 9.14 亿元，同比增长 15.10%；归母净利润亏损 5861.66 万元，亏损同比大幅收窄。其中 Q2 单季营收 5.48 亿元创历史新高，同比增长 42%、环比增长 50%，单季归母净利润转正至 189 万元。公司为全球 SiC 衬底龙头，8 英寸导电型衬底全球市占 51.3%，8 英寸产品收入占比已超 50%，12 英寸全系列技术攻关完成并获头部客户订单。受中期报告披露影响，9 月 1 日公司股价下跌 2.75%。

状态：已查证（上交所公告，证券之星报道）
来源：证券之星｜今日头条

http://m.toutiao.com/group/7680578130221761078/

6. 澳大利亚新政府将本土 SiC 功率模块纳入零排放车辆高等级补贴，推动 SiC 模块出口

澳大利亚新总理上任后宣布优先发展亚洲市场关系，同时政府正快速修订 2026 年零排放车辆激励计划，明确将配备本土采购碳化硅（SiC）功率模块的固态电池电动车纳入高等级补贴层级。该政策对全球功率电子、电池系统和电动车供应链利益相关方具有直接影响，尤其对中国 SiC 器件制造商及其下游合作伙伴 —— 澳洲市场可能成为 SiC 模块出口的新增长极，但 "本土采购" 条款也可能形成一定的市场准入壁垒。

状态：一方称（SiliconCore Metrics 报道，具体政策文本和补贴细则待官方正式发布）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/Integrated_Circuits/Power_Semiconductors_SiC_GaN_/Australia_s_New_PM_to_Prioritize_Asia_Boosts_SiC_Module_Exports.html

7. 昕阳电子取得碳化硅功率器件自适应多级门极驱动电路专利，优化开关性能

国家知识产权局信息显示，昕阳电子申请的 "用于碳化硅功率器件的自适应多级门极驱动电路" 专利于 9 月 1 日公开。该专利可为 SiC 器件开关过程的每个阶段匹配最优的门极驱动强度，有助于在降低开关损耗的同时抑制电压尖峰和电磁干扰，提升 SiC 器件在高频、高压场景下的可靠性。此外，沈阳星膜科技同期申请碳化硅陶瓷静电吸盘专利，南通三责取得 3D 打印碳化硅复合材料专利，反映国产 SiC 产业链在驱动 IC、制程耗材、结构材料等细分环节持续布局。

状态：已查证（国家知识产权局公开信息）
来源：网易科技｜金融界

https://tech.163.com/keywords/7/b/78b353167845/1.html

行业趋势简评

过去 24 小时行业动态的核心关键词是"管制与自主" 并行：政策端，美国将 SiC/GaN 功率模块正式纳入出口管制、澳大利亚推出本土 SiC 模块补贴，全球贸易壁垒持续抬升；技术端，台湾 Taisic 用自研长晶炉拉出 12 英寸晶锭、中微公司发布 SiC 外延设备、瀚天天成 8 英寸外延销量翻倍，产业链各环节的自主可控能力正在加速兑现。值得注意的是，瀚天天成和天岳先进的半年报共同验证了一个信号 ——8 英寸产品已从 "技术验证" 进入 "规模放量" 阶段，AI 数据中心成为继新能源汽车之后的第二增长引擎。整体看，SiC 行业正处于 "外部管制倒逼内部自主、8 英寸放量驱动业绩拐点" 的关键交汇期。

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯8/31

Tue, 01 Sep 2026 08:44:46 +0800

资讯覆盖时间窗口：2026 年 8 月 31 日 08:00 — 9 月 1 日 08:00（北京时间）

1. 安森美（onsemi）以 1.15 亿美元收购 Qorvo 旗下 SiC JFET 技术业务，加码 AI 数据中心与固态断路器

安森美宣布与 Qorvo 达成协议，以 1.15 亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务及子公司 United Silicon Carbide。该收购将补足安森美 EliteSiC 产品组合，重点应对 AI 数据中心电源 AC-DC 段对高能效、高功率密度的需求，并加速在电动汽车断路器、固态断路器（SSCB）等新兴市场的部署。安森美电源方案事业群总裁 Simon Keeton 表示，AI 工作负载日趋复杂高耗能，能处理高压的可靠 SiC JFET 将越来越重要。

状态：一方称（来源为行业分销媒体，交易完成时间原文表述为 "2025 年 Q1" 与当前时间存在矛盾，具体进展待官方确认）
来源：射频微波器件采购网（ic-king.com）

http://www.ic-king.com/News/asmgdcscgsgqorvoqxsi.html

2. PCIM Asia 2026 深圳展闭幕：2300V SiC 芯片上探、1mΩ 半桥模块落地、AI 电源方案集中亮相

8 月 26-28 日，PCIM Asia Shenzhen 2026 在深圳举行，271 家展商、3 万平米，为落地深圳以来规模最大一届。展会释放三大行业信号：① SiC 器件向更高电压段延伸—— 国产量产主流仍在 1200-1700V，但展台已出现 2300V SiC 芯片（赛晶科技 2300V 30mΩ）和 3300V/6500V 高压模块（中车时代），应用指向电网、轨交和 AI 数据中心供电；② 封装互连成为产业链竞争焦点—— 烧结银 / 铜材料、AMB 基板、烧结设备凑齐完整配套；③ AI 数据中心电源是今年最集中的新方向，从器件电压平台到散热方案全线延伸。

状态：已查证（展会现场报道，NE 时代半导体整理）
来源：宽禁带半导体技术创新联盟｜今日头条

http://m.toutiao.com/group/7680017440146817571/

3. 中航证券首次覆盖天岳先进给予 "买入" 评级：8 英寸收入占比超 50%，12 英寸已获头部客户订单

中航证券 8 月 31 日发布首次覆盖报告，给予全球 SiC 衬底龙头天岳先进 "买入" 评级，预计 2026-2028 年归母净利润分别为 0.84/1.98/3.52 亿元。核心要点：公司 2025 年全球 8 英寸导电型 SiC 衬底市占 51.3% 位居第一；2026H1 营收 9.14 亿元同比 + 15.1%，Q2 单季营收 5.48 亿元创历史新高，单季归母转正；8 英寸产品主营收入占比已超 50%，12 英寸全系列技术攻关完成并获头部客户订单；上海临港 + 山东济南 + 马来西亚全球化产能布局推进中。

状态：已查证（券商研报）
来源：中航证券｜证券之星

4. 露笑科技终止部分碳化硅募投项目，剩余资金补流，战略聚焦大尺寸衬底研发

露笑科技（002617.SZ）2026 半年报披露，公司调整战略布局，终止部分碳化硅相关募投项目，剩余募集资金用于补充流动资金（尚需股东大会审议）。公司表示将集中资源聚焦大尺寸碳化硅衬底片研发与工艺升级。目前已攻克 6/8/12 英寸碳化硅晶体生长、衬底精密加工关键核心技术，8 英寸衬底片已形成销售并与国内头部外延厂及器件厂商合作，12 英寸业务拓展中。公司 2026 上半年同步计提资产减值准备，控股股东减持计划已完成。

状态：已查证（上市公司半年报及互动易回复）
来源：企查查｜深交所互动易

https://www.qcc.com/cfinance/4d84e9b46a29b7658cf487116f48065c.html

5. 京都大学 600°C 耐高温 SiC 晶体管成果获国际媒体跟进，极端环境电子迈出实用化一步

everything PE 8 月 31 日跟进报道京都大学研究团队成果：成功开发可在 600°C 高温下稳定运行的 SiC 结型场效应晶体管（JFET）。该器件采用商业晶圆厂广泛使用的离子注入标准工艺制造，通过创新的底栅极（bottom-gate）与双阱隔离结构设计，解决了长期困扰该领域的两大瓶颈 —— 阈值电压漂移与高温漏电问题。传统硅器件在 250°C 以上基本失效，该成果为航空发动机、深空探测等极端环境电子提供了可量产的技术路径。

状态：已查证（学术成果，已发表于相关期刊；8 月 26 日国内媒体首发，8 月 31 日国际英文媒体跟进）
来源：everything PE｜电子工程专辑

6. 杰平方半导体公开 "碳化硅沟槽 MOSFET 器件" 发明专利，聚焦降低沟道电阻

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请的 "一种碳化硅沟槽 MOSFET 器件" 发明专利于 8 月 28 日公开（公开号 CN122662252A），该专利旨在降低沟槽 MOSFET 的沟道电阻、提升器件性能。杰平方近年在 SiC 领域专利布局密集，此前已公开碳化硅 MPS 二极管结构、SiC 器件离子注入方法、提升短路耐受能力的 SiC MOS 器件等多项专利，反映国产 SiC 器件厂商在沟槽型技术路线上持续积累。

状态：已查证（国家知识产权局公开信息）
来源：企查查｜金融界

https://www.qcc.com/cassets/d576bb38af1f54ce4135547b3be2e861.html

7. 基本半导体与汉磊科技 8 英寸 SiC 晶圆量产合作持续推进，轻资产代工模式加速落地

GMT EIGHT 8 月 31 日报道，基本半导体（09971.HK）与台湾汉磊科技（shturl.）的战略合作持续推进，双方加速 8 英寸碳化硅晶圆研发与量产，联合推动新工艺平台开发，提升 SiC 产品在新能源汽车、AI 算力中心等领域的市场份额。汉磊科技 8 英寸 SiC 产线规划月产能 1500 片，已于 2026 年 4 月完成试产，计划下半年正式量产。基本半导体通过轻资产代工合作模式，无需自建晶圆厂即可快速获取 8 英寸产能。

状态：已查证（双方公告，8 月 4 日宣布，8 月 31 日国际媒体跟进）
来源：GMT EIGHT｜集邦化合物半导体

https://gmteight.com/flash/detail/1496610

行业趋势简评

过去 24 小时行业动态呈现 "技术向上游突破、应用向高压与 AI 延伸、产能向头部集中" 的三线并行格局：技术端，600°C 高温 SiC 晶体管和沟槽 MOSFET 专利持续涌现，器件性能边界不断拓展；应用端，PCIM 展会明确显示 SiC 正从 1200V 车主驱单一场景向 2300V+ 电网 / 轨交 / AI 数据中心供电多场景扩散，AI 电源已成为全产业链最集中的新方向；产能端，天岳先进 8 英寸占比过半、基本半导体借汉磊代工落地 8 英寸量产，而露笑科技终止部分募投项目则反映行业调整期非头部企业战略收缩、资源向大尺寸研发聚焦的分化态势。整体看，SiC 行业正从 "规模扩张期" 进入 "技术与应用深度兑现期"。