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[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析
![[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析](https://blog.iccourt.com/zb_users/upload/2025/08/202508241250499579088.jpg)
详细解读国产SiC沟槽MOSFET面临的专利限制、技术优势、市场前景及发展路径。报告的主要内容如下： 专利壁垒分析：使用表格介绍国际巨头专利布局及国内面临的限制。国内发展现状：分技术突破、量产时…
[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解
![[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解](https://blog.iccourt.com/zb_users/upload/2025/08/202508241247433111145.jpg)
好的，我们来详细解释一下碳化硅（SiC）功率器件制造工艺中的核心材料——碳化硅同质外延片，以及您提到的关键概念和工艺。核心概念解析： 4H-SiC： 这是碳化硅最常见的多型体（晶体结构的一…
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]
![第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]](https://blog.iccourt.com/zb_users/upload/2021/04/202104101618058024303976.png)
通知：智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持，小编将继续努力推出更有深度，更有品质的博文，敬请期待。碳化硅（SiC）材料是…
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
![碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]](https://blog.iccourt.com/zb_users/upload/2021/04/202104101618057567679963.png)
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由…
PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子…
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番…
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些…