一颗SiC芯片的诞生：晶胞结构+26步工艺全流程图解

一颗SiC芯片的诞生：晶胞结构+26步工艺全流程图解

从一块裸露的SiC晶圆，到一颗能扛1200V高压的MOSFET芯片，中间经历了什么？26步工艺，每一层薄膜、每一次光刻、每一轮离子注入，都有它的道理。今天这篇，我们把晶胞结构从头到尾掰开揉碎讲清楚，再带你走完整个生产流程——配图版，建议收藏。

▲ SiC MOSFET 晶胞结构与工艺全览

一、晶胞结构：从外到内一层层看

SiC MOSFET芯片是由大量晶胞（Cell）并联构成的。晶胞与晶胞之间用P+区做电气隔离。下面这个表格，把每一层的名字、作用和导电性都列清楚了——建议收藏，随时翻查。

▲ SiC MOSFET 晶胞三维结构示意

▲ 晶胞截面结构放大图

▼ SiC MOSFET 晶胞截面结构层次表 ▼

二、四个核心概念

2.1 Poly（多晶硅）—— 栅极的"骨架"

Poly在这里有两重身份：

第一身份：栅极电极。MOSFET的栅极本质上就是一层poly，覆盖在薄氧化层（GOX）上方。给栅极加电压，poly下的半导体表面就会反型，形成导电沟道。

第二身份：场板（Field Plate）。poly不只存在于栅极下方——它会延伸到器件表面其他区域（尤其是终端区域），形成"场板"。场板的作用是平滑耗尽层边缘的电场分布，防止电场在某个点过于集中而导致提前击穿。