半导体精选006 | Kioxia 3D NAND突破1000层、下一代HBM竞争开启、薄膜铌酸锂全频谱、功率半导体价格调整

本周半导体行业资讯更新：Kioxia 3D NAND堆叠突破1000层方案；下一代HBM技术路线图陆续公布；薄膜铌酸锂芯片覆盖0.5-115GHz全频谱；长江存储IPO推进中；博通筹资4000亿投入芯片；1200V GaN MOSFET研制进展；功率半导体新一轮价格调整……从493篇行业资讯中精选24篇，按六大专题整理。

一、重大产业事件

IPO进展、巨额投资、产业布局——本周行业动态

01 长江存储IPO最新进展
今日半导体 · 08-19

长江存储IPO进程持续推进。作为国内存储芯片主力厂商，长江存储在3D NAND领域持续投入，其上市进展受到行业关注。

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02 美光宣布巨额投资计划
半导体行业观察 · 08-20

美光宣布新一轮巨额投资计划，在HBM和DRAM领域持续加码，以应对AI算力需求带来的存储芯片需求增长。

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03 三星、海力士拟建四座新厂
锐芯闻 · 08-21

三星和SK海力士计划斥资约800万亿韩元建设四座新厂，扩大存储芯片产能，应对AI时代HBM和DRAM需求。

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04 博通筹资4000亿投入芯片
半导体行业观察 · 08-21

博通计划筹资4000亿用于芯片业务扩张，AI定制芯片和 networking ASIC成为重点投入方向。

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二、AI与芯片前沿

HBM技术路线、3D DRAM、AI芯片创业——算力竞争持续

05 下一代HBM技术竞争开启
半导体行业观察 · 08-23

HBM4及后续技术路线竞争加速。SK海力士、三星、美光在下一代高带宽存储领域展开新一轮技术比拼。

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06 从HBM到3D DRAM：imec揭秘下一代存储路线
芯联汇 · 08-23

imec公布AI时代存储技术路线图，从HBM向3D DRAM演进。3D DRAM通过垂直堆叠电容实现更高密度，被视为后HBM时代的关键方向。

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07 推理芯片公司估值达210亿美元
天天IC · 08-19

三名哈佛辍学生创立的推理芯片公司四年内估值达210亿美元，专注于AI推理专用芯片，显示出推理算力赛道的投资热度。

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08 阿里二代AI芯片将流片
天天IC · 08-23

阿里旗下平头哥二代AI芯片即将流片，在算力性能和能效方面进行升级，对标英伟达数据中心方案。

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三、存储与先进封装

3D NAND 1000层、TSV突破、CoPoS——存储与封装技术前沿

09 Kioxia 3D NAND堆叠突破1000层方案
苏州实验室的半导体之窗 · 08-23

Kioxia公布3D NAND突破1000层的解决方案，通过创新堆叠工艺和材料体系，持续推进存储密度上限。

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