碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/1

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 1 日 08:00 — 9 月 2 日 08:00（北京时间）

1. 美国商务部将 SiC/GaN 功率半导体模块纳入出口管制，覆盖电动车、6G 基站、L4 自动驾驶

美国商务部工业与安全局（BIS）于 8 月 6 日发布临时最终规则，将用于电动汽车、6G 基站和 L4 自动驾驶平台的 SiC 和 GaN 功率半导体模块列入《商业管制清单》（CCL），对特定国家和地区出口实施许可证管理，规则即时生效。该措施直接影响中国厂商向中东、东南亚、拉美等市场出口高功率密度器件的合规路径与交付周期，出口交易将面临更严格的装运前审查，采购和项目交付需重新评估交期假设。目前实施细则、许可证审查标准和操作指引仍待进一步明确。

状态：已查证（规则已于 8 月 6 日生效，9 月 1 日行业媒体深度解读；具体执行细节待官方进一步澄清）
来源：SiliconCore Metrics

https://www.qishuai-cn.com/news/integrated_circuits/power_semiconductors_sic_gan_/u_s_adds_sic_gan_power_chips_to_export_controls.html

2. 台湾 Taisic Materials 成功拉出首颗 12 英寸 SiC 晶锭，使用母公司 Kenmec 自研长晶炉，打破设备进口依赖

8 月 30 日，富士康投资的 Taisic Materials 使用母公司 Kenmec Mechanical Engineering 自主设计制造的长晶炉，成功生产出台湾首颗 12 英寸（300mm）碳化硅晶锭。此次突破的核心意义不仅在于晶锭尺寸，更在于长晶炉的完全国产化 —— 此前台湾 SiC 厂商的大尺寸长晶炉主要依赖美日进口，在半导体设备出口管制趋严背景下，自研炉具消除了产能扩张的外部单点依赖。Taisic 与母公司 Kenmec 预计将于 2026 年 10 月在台湾兴柜挂牌上市。目前全球 12 英寸 SiC 竞赛中，Wolfspeed 已于 2026 年 1 月宣布 300mm 突破，中国 SICC 已商业化供应 12 英寸衬底，天科合达已宣布 14 英寸研发进展，但全行业 12 英寸量产预计仍需到 2020 年代末。