碳化硅(SiC)芯片行业每日资讯9/2

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碳化硅(SiC)芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口:2026 年 9 月 2 日 08:00 — 9 月 3 日 08:00(北京时间)


1. 博世美国加州工厂启动 SiC 芯片样品生产,获 2.25 亿美元 CHIPS 法案补贴,商业量产年内启动

德国博世在其位于美国加州、耗资 20 亿美元改造的半导体工厂正式启动碳化硅芯片样品生产。该项目获得美国联邦 CHIPS 法案 2.25 亿美元补贴,目标是为电动汽车、混合动力车、国防及 AI 数据中心建立本土 SiC 供应链,商业量产计划于今年晚些时候开始。这是博世在北美首个 SiC 芯片制造基地,标志着全球 SiC 产能格局从 "亚欧主导" 向 "美洲落地" 扩展,也反映出美国在功率半导体领域加速本土化布局。


2. 基本半导体上市首份半年报:SiC MOSFET 收入激增 582%,毛利率由负转正

港股 "碳化硅芯片第一股" 基本半导体(09971.HK)交出上市后首份成绩单:2026 上半年实现营收 1.21 亿元,同比增长 15.5%;整体毛利率由去年同期的 -28.8% 转正至 2.8%,大幅改善 31.6 个百分点。其中工业级 SiC 功率模块收入同比暴增 2825%,SiC 分立器件收入同比增长 161%。公司与汉磊科技达成 8 英寸 SiC 晶圆量产合作,上市后一个月内完成市场策略调整、产能扩张和技术升级 "三连击",在功率半导体同行利润普遍下滑背景下实现逆势增长。


3. Nexperia(安世半导体)与 Aurobay(吉利 / 雷诺合资)探索 SiC/GaN 汽车功率半导体战略合作

荷兰 Nexperia 宣布与 Aurobay Technologies(极光湾科技,浩思动力旗下,由吉利、雷诺集团与沙特阿美合资)探索汽车先进功率半导体战略合作,将 Nexperia 在 GaN 和 SiC 领域的技术积累与 Aurobay 在动力总成系统设计集成方面的能力相结合,覆盖牵引逆变器和发电系统。双方已有合作基础 ——Aurobay 已在增程器应用中采用 Nexperia GaN 器件,此次合作旨在将宽禁带半导体更深地嵌入电气化动力总成。这是国际器件厂商与中国背景车企动力总成公司的重要联手,反映 SiC 上车从 "器件供应" 向 "系统级协同" 演进。

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