碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/3

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 3 日 08:00 — 9 月 4 日 08:00（北京时间）

1. DIGITIMES 独家：中国 6 英寸 SiC 衬底供应结构性收紧，价格即将上涨

DIGITIMES 9 月 3 日独家报道，中国 6 英寸碳化硅衬底市场正经历结构性供需反转。在下游需求持续增强而产能重启有限的双重作用下，供应已转为紧张状态，价格预计将进入上行通道。这一变化标志着持续近两年的 SiC 衬底价格战和库存消化周期可能正式结束，行业从 "供过于求" 转向 "供需紧平衡"。衬底作为 SiC 芯片成本占比最高的环节（约 40-50%），其价格走势将直接影响中游器件厂商的毛利率和下游终端的采购成本。

状态：已查证（DIGITIMES 独家报道，记者 Nuying Huang）
来源：DIGITIMES

https://www.digitimes.com/news/a20260903PD235.html?chid=10

2. 美国商务部 BIS 内部备忘录提议对 SiC/GaN 功率器件实施更严格出口许可，聚焦 AI 服务器、EV 充电和 L4 自动驾驶

美国商务部工业与安全局（BIS）一份日期为 5 月 6 日的内部备忘录被披露，提议将用于 AI 服务器电源、大功率 EV 充电桩（≥150kW）和 L4 自动驾驶域控制器的 SiC/GaN 功率半导体模块列入 "新兴技术出口管制优先清单"，引入新的最终用途尽职调查要求和强制最终用户授权程序。目前该提案尚未正式立法，也未发布联邦公报通知，但反映出美国出口管制正从 "broad 技术类别限制" 转向 "按使用场景精准管控"。若正式落地，中国厂商向特定地区出口相关模块将面临数周的许可证审查延迟。