碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/5

碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯

资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 5 日 08:00 — 9 月 6 日 08:00（北京时间）注：周末行业新闻发布较少，部分 9 月 4 日发布、仍在持续发酵的重要动态一并纳入。

1. 美国 BIS 发布临时最终规则，扩大商业级 SiC/GaN 功率半导体出口许可范围

美国商务部工业与安全局（BIS）于 7 月 27 日发布临时最终规则，扩大对用于高功率密度和高频开关应用的商业级 SiC 和 GaN 功率半导体产品的出口许可要求。9 月 5 日行业媒体深度解读：涉及跨境出口或再出口至中国的 SiC/GaN 器件将面临更长的许可证审查周期，中国厂商若依赖美国原产设计工具、测试设备或与美方联合研发，可能在产品认证周期上遭遇延迟。这是继 8 月 6 日将 SiC/GaN 模块列入商业管制清单后，美国在功率半导体出口管制领域的又一升级动作。

• 状态：已查证

• 来源：SiliconCore Metrics｜美国商务部 BIS

• https://www.qishuai-cn.com/news/Integrated_Circuits/Power_Semiconductors_SiC_GaN_/U_S_Tightens_EAR_Licensing_for_SiC_GaN_Power_Chips.html

2. 博世加州工厂正式启动 SiC 芯片样品生产，获 2.25 亿美元 CHIPS 法案补贴

博世在位于美国加州罗斯维尔、耗资 20 亿美元改造的半导体工厂正式启动碳化硅芯片样品生产，这是全球最大汽车供应商首次在美国本土制造芯片。该项目获得美国联邦 CHIPS 法案 2.25 亿美元补贴，目标是为电动汽车、混合动力车、国防及 AI 数据中心建立本土 SiC 供应链，商业量产计划于年内启动。标志着全球 SiC 产能格局从 "亚欧主导" 向 "美洲落地" 进一步扩展。

• 状态：已查证

• 来源：Global Current News（GCN）

• https://gcn.com/bosch-begins-silicon-carbide-chip-sample/21394/

3. 博测锐创发布 12.5KV 超高压功率器件测试分析仪，覆盖 SiC/GaN 击穿与静态特性检测

在宜宾世界动力电池大会期间，博测锐创半导体科技（苏州）正式发布 12.5KV 超高压功率器件测试分析仪，覆盖 SiC/GaN 器件的击穿电压与静态特性检测，补齐产线测试短板。公司董事长邱宇峰表示，功率半导体正朝宽禁带和更高电压更大功率两个方向发展，用户迫切需要万伏级器件的动态特性测试分析技术。该设备填补了国产超高压 SiC/GaN 测试装备空白。