碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯9/6
碳化硅（SiC）芯片行业每日资讯
资讯覆盖时间窗口：2026 年 9 月 6 日 08:00 — 9 月 7 日 08:00（北京时间）注：周末行业新闻发布较少，部分 9 月 5 日发布、仍在持续发酵的重要动态一并纳入。
1. 博测锐创董事长邱宇峰：车规 SiC 已进入成熟期，万伏级高压测试设备国产化空间巨大
《科创板日报》9 月 6 日发布对博测锐创董事长邱宇峰的深度专访。核心观点：① 车规 SiC 已进入成熟期—— 经过业界几年努力，衬底外延缺陷密度大幅降低，多家国内 SiC 器件已达到车规级要求并上车主驱（而非仅用于 OBC/DC-DC），能上主驱是 SiC 器件成熟的标志；② 公司首发的 12.5kV 超高压功率半导体测试分析仪为全球首款，填补万伏级测试空白；③ 高于 1700V 的器件市场将迅速成长，而这块国产测试设备基本还是空白，是巨大增长空间；④ SiC 动态特性测不准是全球业界难题，公司花了四五年时间实现突破。
状态：已查证
来源：科创板日报｜2026 世界动力电池大会
2. Microchip 扩展 SiC 功率模块产品组合，推出 700V/1200V/1700V 多拓扑 SBD 模块
Microchip Technology（纳斯达克：MCHP）9 月 6 日宣布扩展 SiC 功率模块产品组合，推出更小、更轻、更高效的 SiC 肖特基势垒二极管（SBD）功率模块，覆盖 700V、1200V、1700V 三个电压等级。新模块包含双二极管、全桥、相臂、双共阴极、三相桥等多种拓扑。通过将多个 SiC 二极管芯片集成到单一模块中，可最大化开关效率、降低温升、减小系统占位。产品具备高雪崩性能，可减少缓冲电路需求，全系已开放订购。
状态：已查证
来源：IndoTelko｜Microchip 官方
3. 全国首届固态断路器研讨会在温州乐清举行，聚焦 SiC/GaN 在算力中心直流供电应用
全国首届固态断路器研讨会（秋季）9 月 6 日在温州乐清举行。清华大学副研究员屈鲁围绕 "算力中心源网荷储一体化直流供电的关键技术与应用成果" 作报告，南航、川大、浙大、湖南大学、中船 712 所等单位专家，围绕新能源并网、数据中心、轨道交通等场景，以及 SiC、GaN 等宽禁带半导体器件在固态断路器中的应用展开研讨。固态断路器（SSCB）利用 SiC 高速开关特性可实现微秒级故障切断，对 AI 数据中心 800VDC 供电架构的安全保护至关重要。
