2019全球晶圆代工情况梳理

来源：芯思想 作者：赵元闯

本文不包括CIDM和VIDM项目。

一、工艺制程篇

1、中芯国际

2019年第一季度，12nm工艺开发进入客户导入阶段，第二代FinFET N+1研发取得突破，进度超过预期。

第二季度14纳米FinFET制程进入客户风险量产阶段，2019年第四季实现小批量生产。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入。

2、华虹集团

2019年，华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举，构建集团核心竞争力。成熟工艺方面，65/55纳米射频和BCD平台全球依靠；而在先进工艺方面，28纳米（28LPC/28HK/28HKC+）成功量产；28纳米高介电常数金属栅级工艺（28nm HKC+）研发进展顺利；22纳米工艺发快速推进；14纳米工艺也取得突破，工艺全线贯通，SRAM良率达25%。

3、华润微电子

华润微电子旗下代工平台华润上华在BCD工艺平台上，经过多年的积累，已开发出全系列分段式电压的0.18µm BCD工艺平台，配置efuse、OTP、MTP，目前可提供6个电压段：7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V，并可提供BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案。据悉 90nm BCD工艺已经进入研发阶段。

华润上华推出基于0.18μm EN CMOS的优化版0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，优化后的工艺成本得到了大大的缩减，以MCU应用看，相较公司的0.18μm工艺节省成本约30%；以音频功放应用看，华润上华的0.153μm 5V EN CMOS工艺的成本已优于同行水平。

另外，华润上华的0.11μm ULL e-flash Logic工艺达到业界水平。

4、台积电

4月份推出6纳米(N6)制程技术，预计将在2020年实现量产，推出6纳米制程主要是为强化7纳米技术，提升效能/成本优势且加速产品上市时间。

7纳米工艺+EUV于2019年第3季量产。

12月，5纳米制程方面完成试产，工艺的良率达到35%-40%，意味着5nm工艺良率爬坡很顺利，2020年7月份正式进入大规模量产阶段。

5、联电

联电在2019年推出28纳米的微缩版22纳米CMOS工艺，相较联电的28纳米工艺上可减少约10~15%的面积。

联电位于厦门的子公司联芯推出适用于AMOLED屏幕驱动的28纳米eHV和40纳米eHV工艺,以及适用于银行卡/ETC卡的55纳米工艺（55eNVM）。