受材料特性所限，硅器件各方面的性能已经接近理论极限，此背景下，宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展相对更成熟，氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）…

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