ZERO OXIDE 的作用是什么？ 第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。 PR中所含的有机物很难清洗。 第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不 会对衬底造成损伤。 第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。

碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC)作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好、还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有着广阔的应用前景。本文综述了SiC器件制作过程中关键工艺研究的最新进展，如掺杂、刻蚀、氧化以及欧姆接触，介绍了器件中结终端技术的应用与发展，最后从工艺集成的角度分析了器件制作过程中热学兼容性、力学兼容性以及异质兼容等问题。