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工艺技术问答更多

芯片制造工艺问答037：PHO recipe的Focus设定值往正"+"调整后PR profile会有何影响?

Ans positive: 往正调整会造成所谓的”削头”的情形,如下图所示 negative:往负调整会造成所谓的”解不开”的情形,如下图所示

与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用

半导体设备更多

离子注入机台基础介绍

离子注入原理在集成电路制造中,掺杂主要采用两种方法:扩散法和离子注入法. 扩散法就是利用高温将杂质掺入到半导体材料中,因为在一定的温度条件下,杂质原子具有一定的能量,它能够克服某种阻力进入到半导体中,并在其中作缓慢的迁移运动,这些杂质原子不是代替硅原子的位置就是处在晶体的间隙中.

制造工艺技术更多

芯片制造，洗洗更健康

在芯片制造过程中，“清洗”步骤虽然不起眼，但它占整个制造工序步骤30%以上，不可轻忽。那么国产的半导体清洗设备发展情况如何？本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第七篇文章，关注半导体清洗设备国产替代。在本文中，你将了解到：为什么要在芯片生产过程中使用清洗技术，清洗设备有什么关键技术点，国内外清洗设备市场情况。付斌丨作者李拓丨编辑果壳硬科技丨策划一、遇事不决洗一洗半导体中的清洗技术是指在氧化、

第三代半导体更多

碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？

碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成，包括肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、数据中心、高压充电等。半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层后进一步加工制成，包括 HEMT 等氮化镓射频器件，主要用于 5G 通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。