芯片制造，洗洗更健康
在芯片制造过程中，“清洗”步骤虽然不起眼，但它占整个制造工序步骤30%以上，不可轻忽。那么国产的半导体清洗设备发展情况如何？本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第七篇文章，关注半导体清洗设备国产替代。在本文中，你将了解到：为什么要在芯片生产过程中使用清洗技术，清洗设备有什么关键技术点，国内外清洗设备市场情况。付斌丨作者李拓丨编辑果壳硬科技丨策划一、遇事不决洗一洗半导体中的清洗技术是指在氧化、
制造工艺技术
RCA标准清洗法详解
RCA标准清洗法RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120
笔记：光刻技术问与答
何谓DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
最通俗易懂的光刻机原理介绍
光刻机，是现代光学工业之花，是半导体行业中的核心技术。可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位，光刻机，是制造芯片的机器，要是没有了光刻机，我们就没有办法造出芯片，自然也就不会有我们现在的手机、电脑了。光刻机是用于芯片制造的核心设备，按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机。光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先咱们有个概念：我们现在芯片的线条
揭秘半导体制造全流程
当听到“半导体”这个词时，你会想到什么？它听起来复杂且遥远，但其实已经渗透到我们生活的各个方面：从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁，我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，泛林集团将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将以三期微信推送，为大家逐一介绍上述每个步骤。
CPU芯片生产工艺 制作流程
1》由沙到晶圆，CPU诞生全过程2》沙中含有25%的硅，是地壳中第二多元素，在经过氧化之后就成为了二氧化硅，在沙，尤其是石英中二氧化硅的含量非常高，这就是制造半导体的基础。3》在采购原材料沙子后，将其中的硅进行分离，多余的材料被废弃，再经过多个步骤进行提纯，以最终达到符合半导体制造的质量，这就是所谓的电子级硅。它的纯度是非常大的，每10亿个硅原子中只有一个是不符合要求的。经过净化过程，硅进入融化阶
Spacer/侧墙制程-由来已久！ （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在讲Spacer的Process理论之前，先讲下Spacer的作用，为什么要有这么个结构？这样你们才能永远记住它。我们这些80后做半导体PIE的一出道就接触的是1.0um以下，我们称之为亚微米制程(到0.25um以下，我们称之为深亚微米, deep sub-micron)。而我们在亚微米以及深亚微米时代随着栅极长度/沟道
《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域
