失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。 常见的失效分析方法有Decap，X-RAY，SAT，IV，EMMI，FIB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因为失效分析设备昂贵，大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备，因此借用外力，使用对外开放的资源，来完成自己的分析也是一种很好的选择。

随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。

继续每天写一点，由于时差关系，我每天只能在这个时间上来随便写点。 先从我10年前大学一起毕业的同学现今的状况说起吧，这也许会是刚入行电子行业的年轻毕业生比较好奇的事情，而且也能从中看到自己多年以后大概的样子。