工艺技术问答

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芯片制造工艺问答007：何谓LOCOS? Typical process flow?

LOCOS 为Local Oxidation 的简称在先进的集成电路制程中，可以在面积的硅表面上挤进多达数十万的MOS晶体管，为了使晶体管与晶体管间的操作不受到对方的干扰，必需将每个集成电路上的晶体管，与其它的晶体管相隔离，避免产生短路。在0.25 um制程之前，LOCOS是被普遍使用的绝缘隔离制程，因为它非常简单。以下为0.30 UM TPDM SRAM Technology LOCOS pro

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2112 浏览

芯片制造工艺问答006：从0.5um至0.18um制程, Well部分的制程改变为何? 其原因何在?

Ans0.5um LOGIC0.35um LOGIC0.30um LOGIC0.25um LOGIC0.22um LOGIC0.18um LOGICWafer startWafer startWafer startWafer startWafer startWafer startSTI defineSTI defineSTI defineNW-PHONW-PHONW-PHOPW-PHOPW-PHO

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 1681 浏览

芯片制造工艺问答005：Well制程影响那些组件特性?

Ans Well表面的Dopant浓度会影响：Vt、Id、Source / Drain Capacitance and Field isolation。Well中部的Dopant浓度会影响：Punch-through。Source, Drain breakdown voltageWell底部的Dopant浓度会影响：Latch-up and Well junction breakdown volt

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 1742 浏览

芯片制造工艺问答004：硅原子的Lattice constant为何? 换算成表面浓度, 体积浓度各是多少?

Ans Si Lattice Constant = 0.543 nm每个单位晶格内有 4 + 6*1/2 + 8*1/8 = 8 个原子体积浓度为 1/(5.43*10-8)3*8 = 5*1022cm-3       表面浓度与晶格方向有关，(1 0 0 )面的单位晶格内有 1 + 4*1/4 = 2 个原子(1 0 0 )面表面浓度为

工艺技术问答 2021年09月15日 81 点赞 0 评论 2005 浏览

芯片制造工艺问答003：目前常用的芯片阻值为何?

Ans 算成浓度值多少?P-type, r= 8~12Ω-cm, 10 ± 2 W-cm查表: 8Ω-cm à 1.68e15cm-3, 10Ω-cm à 1.34e15 cm-3, 12Ω-cm à 1.11e15 cm-3由 resistivity and concentration, the mobility can be derived:mn, mp = electron and hole

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2412 浏览

芯片制造工艺问答002：为何需要Zero layer? Laser Mark?

Ans Zero layerASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose.For ASML 300B the overlay spec for single machine is <45nm, for mated 300B machine <75nm and for 300 to 200 ma

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2391 浏览

芯片制造工艺问答001：为何需要Start Oxide?

Ans     For zero layer PHO process, before PHO PR deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. è Zero layer is designed by ASML stepper system.Preve

工艺技术问答 2021年09月12日 82 点赞 0 评论 2300 浏览