FinFET

后FinFET时代,晶体管将走向何方?

编者按:进入最近两个月,因为三星3nm的大进步,还有台积电宣布在5nm乃至3nm进展,2nm规划,这就引发了大家对晶体管未来的担忧。那么究竟到了1nm之后,制程世界需要怎样的支持?未来的工艺技术又会走向何方?我们来看一下IMEC专家的分享。FinFET晶体管结构是当今半导体行业的主力。但是,随着微缩的继续,人们不希望出现的短沟道效应需要引入新的晶体管结构。在本文中,imec的3D混合微缩项目主管J

这才是台积电的真正实力

台积电在半导体行业的地位毋庸置疑。但他们究竟有多强大,大部分读者了解得可能非常片面。让我们从他们最新公布的2019年财报里,一窥台积电的真正实力。一、台积电在市场上的地位根据公司财报,台积公司在先进制程技术、特殊制程技术,以及先进封装技术的发展上持续领先全球集成电路制造服务领域,2019年的市场占有率为52%。台积公司总体营收以地区划分(主要依据客户营运总部所在地),来自北美市场的营收占台积公司总

一张图读懂半导体芯片制程

一张图读懂半导体芯片制程来源:Technews科技新报常听到媒体在讨论台积电或三星的半导体技术正进展到几纳米,各位读者是否真的知道这代表什么意思呢?所谓的纳米制程对半导体业而言到底多重要,又与摩尔定律、FinFET 及 EUV 等常见关键字有什么关联呢?本文带您一探中国台湾地区半导体发展以及制程技术。

“芯”无远虑,必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺,谁将接替Bulk CMOS?

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在,大量IC采用体硅CMOS(Bulk CMOS)工艺技术实现,这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术,但是,当工艺节点升级到20nm左右时,Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势,很多业者认为B

FinFET简介(转)

FinFETFinFET简介FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。发明人该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明(ChenmingHu)教授[1]。胡