工艺技术问答

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芯片制造工艺问答006：从0.5um至0.18um制程, Well部分的制程改变为何? 其原因何在?

Ans0.5um LOGIC0.35um LOGIC0.30um LOGIC0.25um LOGIC0.22um LOGIC0.18um LOGICWafer startWafer startWafer startWafer startWafer startWafer startSTI defineSTI defineSTI defineNW-PHONW-PHONW-PHOPW-PHOPW-PHO

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 1682 浏览

芯片制造工艺问答005：Well制程影响那些组件特性?

Ans Well表面的Dopant浓度会影响：Vt、Id、Source / Drain Capacitance and Field isolation。Well中部的Dopant浓度会影响：Punch-through。Source, Drain breakdown voltageWell底部的Dopant浓度会影响：Latch-up and Well junction breakdown volt

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 1743 浏览

芯片制造工艺问答009：STI对IC制程有何影响? 可控制因子有哪些?

Ans        Offering superior latch-up immunitySmaller channel width encroachment than LOCOS process. The use of STI eliminates Bird's Beak effect found in LOCOS, thus sma

工艺技术问答 2021年09月15日 81 点赞 0 评论 1853 浏览

芯片制造工艺问答017：黄光区曝光机共有几种机型? 他们各别有什么任务? 试列表比较其特性?

Ans FAB5 PHO area have 8 EQ model (the information should be updated according to E3PHO) as attached table:I- line stepper: Default lithographerI- line scanner: for better uniformity and larger field

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 1938 浏览

芯片制造工艺问答020：总共有多少种光阻去除方式? 个别适用于何种情况?

Ans For FAB* stripping process, clear functions layout are designed by machines & process layers, which are simply described as below:(1)Dry ashing:M/CTotal recipe No.Function designProcess laye

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 1946 浏览

芯片制造工艺问答015：STI蚀刻后需检查什么地方以确保蚀刻正常? 这些项目在密集区何疏散区有何不同?

Ans 检查trench edge, SIN AEI, at high pattern density region, STI profile is more steep, profile deeper, SIN AEI smaller; at lower density region, STI profile less steep, SIN AEI larger. 需检查Test pattern

工艺技术问答 2021年09月19日 81 点赞 0 评论 1964 浏览

芯片制造工艺问答016：Active PHO (OD PHO)需检查什么以确保制程正确无误?

Ans 1.  ADI CD: because the low reflectivity property of SIN film, the CD uniformity within a wafer is usually not so good, depends on PR thickness and SIN thickness, the CD will be smaller in wa

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 1997 浏览

芯片制造工艺问答004：硅原子的Lattice constant为何? 换算成表面浓度, 体积浓度各是多少?

Ans Si Lattice Constant = 0.543 nm每个单位晶格内有 4 + 6*1/2 + 8*1/8 = 8 个原子体积浓度为 1/(5.43*10-8)3*8 = 5*1022cm-3       表面浓度与晶格方向有关，(1 0 0 )面的单位晶格内有 1 + 4*1/4 = 2 个原子(1 0 0 )面表面浓度为

工艺技术问答 2021年09月15日 81 点赞 0 评论 2006 浏览

芯片制造工艺问答012：Pre-Clean的目的为何? 目前共有几种Pre-Clean recipe存在FAB内? 个别的目的有何不同?

Ans Pre-Clean 一般指 Pre furnace/RTP clean.Presently active Pre-clean have 22 recipes; while dilute APM 1 recipe(see attach file: clean.xls) Pre-clean 为SPM,APM,HPM,HF 依个别需求调整使用时间之clean process, SPM is fo

工艺技术问答 2021年09月19日 83 点赞 0 评论 2070 浏览

芯片制造工艺问答008：何谓STI? Typical process flow?

Ans        STI 为Shallow Trench Isolation的简称在0.25 um制程之后，STI是标准的绝缘隔离制程。以下为0.25 UM LOGIC Technology STI process 的简述PAD OXIDE (920C, 110A) ,因SIN与SI间的应力很大，需要一层OXIDE做为缓冲。SIN D

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2092 浏览