第三代半导体

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高,碳化硅的主要用途是用作磨料,也被用于汽车制动盘,作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来,它已被用作电子材料,最初用于发光二极管(LED),最近又被用于电力电子

第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]

碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体

碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势?

碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成,包括肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等,主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、数据中心、高压充电等。半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层后进一步加工制成,包括 HEMT 等氮化镓射频器件,主要用于 5G 通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。