SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术
内容简介Content Description本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰
入门学习
芯片制造工艺问答003：目前常用的芯片阻值为何?
Ans 算成浓度值多少?P-type, r= 8~12Ω-cm, 10 ± 2 W-cm查表: 8Ω-cm à 1.68e15cm-3, 10Ω-cm à 1.34e15 cm-3, 12Ω-cm à 1.11e15 cm-3由
resistivity and concentration, the mobility can be derived:mn, mp =
electron and hole
芯片制造――半导体工艺制程实用教程（第六版）
内容简介:   《芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，在半导体领域享有很高的声誉。  《芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以
芯片制造工艺问答004：硅原子的Lattice constant为何? 换算成表面浓度, 体积浓度各是多少?
Ans Si Lattice Constant = 0.543 nm每个单位晶格内有 4 +
6*1/2 + 8*1/8 = 8 个原子体积浓度为
1/(5.43*10-8)3*8 = 5*1022cm-3 表面浓度与晶格方向有关，(1 0 0
)面的单位晶格内有 1 + 4*1/4 = 2 个原子(1 0 0 )面表面浓度为
芯片制造工艺问答005：Well制程影响那些组件特性?
Ans Well表面的Dopant浓度会影响：Vt、Id、Source / Drain Capacitance and Field isolation。Well中部的Dopant浓度会影响：Punch-through。Source, Drain breakdown voltageWell底部的Dopant浓度会影响：Latch-up and Well junction breakdown volt
