揭秘半导体制造全流程
当听到“半导体”这个词时，你会想到什么？它听起来复杂且遥远，但其实已经渗透到我们生活的各个方面：从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁，我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，泛林集团将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将以三期微信推送，为大家逐一介绍上述每个步骤。
刻蚀
芯片制造工艺问答015：STI蚀刻后需检查什么地方以确保蚀刻正常? 这些项目在密集区何疏散区有何不同?
Ans 检查trench
edge, SIN AEI, at high pattern density region, STI profile is more steep,
profile deeper, SIN AEI smaller; at lower density region, STI profile less
steep, SIN AEI larger. 需检查Test
pattern
芯片制造工艺问答021：去除Si3N4时, 为何要在热磷酸之前加50:1 HF蚀刻? 此蚀刻时间太短有何影响?
Ans 50:1 HF is designed to remove any oxide above
SIN before H3PO4 strip. If HF etch time is too short, the oxide above SIN will
not completely removed, and SIN can not be stripped by H3PO4 and result
芯片制造工艺问答022：热磷酸对Si3N4, Oxide的蚀刻率分别是多少? 蚀刻率可控制因子为何?
Ans 50:1 HF E/R 53+-5A/min of SiOxNy = 120~150A, 220sec
to etch 175A SiOxNyH3PO4 E/R is 60+-6A/min for SIN, 1.5 A/min ~0.25
A/min for oxide, for new H3PO4 acid the [Si] is low and oxide E/R is high bu
