静电保护(ESD)原理和设计–Part-2 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿越来越容易，而且在Advance制程里面，Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐，所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。静电放电保护可以从FAB端的Process解决，也可以从IC设计端的Layout来设计，所以你会看到P
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