外延
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解析碳化硅外延材料产业链

解析碳化硅外延材料产业链

与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用
晶圆原材料工艺 2020年09月21日
晶圆制备–外延(Epitaxy) （转）

晶圆制备–外延(Epitaxy) （转）

上一篇文章专题介绍晶圆制备，如何制备集成电路制造专用的衬底晶圆片？我们一般6/8寸的logic、MS制程用的都是抛光片(polish wafer)，这种圆片都是在坩埚里面单晶直拉法拉的晶棒(ingot)，然后切割(saw)成一片片的wafer，再经过抛光退火形成最终的Wafer卖给FAB。但是这种CZ法(单晶直拉法)做出来的wafer最大的问题就是因为坩埚会带入含碳或含氧的杂质，而这些杂质会在晶格
晶圆原材料工艺 2019年06月14日