工艺制程

半导体器件物理与工艺 施敏 第三版

《半导体器件物理与工艺(第3版)》分三大部分:第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件,最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。

2019全球晶圆代工情况梳理

来源:芯思想 作者:赵元闯本文不包括CIDM和VIDM项目。一、工艺制程篇1、中芯国际2019年第一季度,12nm工艺开发进入客户导入阶段,第二代FinFET N+1研发取得突破,进度超过预期。第二季度14纳米FinFET制程进入客户风险量产阶段,2019年第四季实现小批量生产。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入。2、华虹集团2019年,华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举,构建集