SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术
内容简介Content Description本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰
氮化镓
SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析
国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章，因此本文对相关信息进行了搜集和总结，希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业，如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件，WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点，是理想的功率半导体器件，正在快速取代Si器件，应用在车载电源、
工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性
Si & SiC\GaN--前浪&后浪
现今流行的半导体材料：Si、SiC和GaN，三兄弟在半导体界的知名度和火热度放在各类小视频软件不下于任何一个网红，只可惜现实中我们往往只是沉溺于刷“帅哥美女”。今天我们再来聊聊这三兄弟~厚积薄发，应运而生作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形
新型功率器件有哪些？电动化趋势下碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）成市场新热点？
电动化浪潮之下，全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现，更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的新型半导体材料在汽车行业的应用，正突破传统材料的限制，赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上，传统功率器件通常采用IGBT技术方案，但近年来随着材料科技的发展，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术正成为技术热点。目前
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S
浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)
化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化
