特性

经典:CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所以I-V曲线迂回呈现负阻状态,所以叫做Snap-back(侧重工作区

SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析

国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章,因此本文对相关信息进行了搜集和总结,希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业,如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件,WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点,是理想的功率半导体器件,正在快速取代Si器件,应用在车载电源、