转：碳化硅器件制作关键技术与工艺集成
碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC)作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好、还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有着广阔的应用前景。本文综述了SiC器件制作过程中关键工艺研究的最新进展，如掺杂、刻蚀、氧化以及欧姆接触，介绍了器件中结终端技术的应用与发展，最后从工艺集成的角度分析了器件制作过程中热学兼容性、力学兼容性以及异质兼容等问题。
碳化硅
浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)
化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化
碳化硅，为何让人又爱又恨？(转)
作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质，因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC)：材料、器件及应用-2019版》报告中预计，到2024年，碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018-2024年期间的复合年增长率将高
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S
被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。 二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性
啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼
碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。SiC作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高
新型功率器件有哪些？电动化趋势下碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）成市场新热点？
电动化浪潮之下，全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现，更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的新型半导体材料在汽车行业的应用，正突破传统材料的限制，赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上，传统功率器件通常采用IGBT技术方案，但近年来随着材料科技的发展，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术正成为技术热点。目前
Si & SiC\GaN--前浪&后浪
现今流行的半导体材料：Si、SiC和GaN，三兄弟在半导体界的知名度和火热度放在各类小视频软件不下于任何一个网红，只可惜现实中我们往往只是沉溺于刷“帅哥美女”。今天我们再来聊聊这三兄弟~厚积薄发，应运而生作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形
