碳化硅

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了,它的特点是:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级))、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。 二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性

英飞凌高管谈碳化硅

根据IHS的数据预估,今年的SiC(碳化硅)市场总额将会达到5000万美元,到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场,SiC在未来几年的符合增长率高达59%;在光伏和储能市场,SiC的年复合增长率也有26%;而在电源部分,这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。能获得这样的成长表现,与SiC本身的特性有关。英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈

新型功率器件有哪些?电动化趋势下碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)成市场新热点?

电动化浪潮之下,全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现,更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的新型半导体材料在汽车行业的应用,正突破传统材料的限制,赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上,传统功率器件通常采用IGBT技术方案,但近年来随着材料科技的发展,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术正成为技术热点。目前

碳化硅,为何让人又爱又恨?(转)

作为半导体材料具有优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质,因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC):材料、器件及应用-2019版》报告中预计,到2024年,碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元,2018-2024年期间的复合年增长率将高

啥是碳化硅(SiC)?SiC和Si性能大比拼

碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,具有1X1共价键的硅和碳化合物,其莫氏硬度为13,仅次于钻石(15)和碳化硼(14)。据说,SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中,发现了少量这种物质,所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。SiC作为半导体材料具有优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高

[经验] 浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看,未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到,一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术,那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性,一直

碳化硅强在哪里?

        硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与SiC相比,则显得效率低下。SiC现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。        电力电子朝向碳化硅(SiC)和氮化

用于取代IGBT的碳化硅(SiC)MOSFET 技术发展回顾

碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高,碳化硅的主要用途是用作磨料,也被用于汽车制动盘,作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来,它已被用作电子材料,最初用于发光二极管(LED),最近又被用于电力电子设备,包括肖特基势垒二极管(SBD),结型

Si & SiC\GaN--前浪&后浪

现今流行的半导体材料:Si、SiC和GaN,三兄弟在半导体界的知名度和火热度放在各类小视频软件不下于任何一个网红,只可惜现实中我们往往只是沉溺于刷“帅哥美女”。今天我们再来聊聊这三兄弟~厚积薄发,应运而生作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形

SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术

内容简介Content Description本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心,由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰