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解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S
行业故事 2019年10月07日
英飞凌高管谈碳化硅

英飞凌高管谈碳化硅

根据IHS的数据预估，今年的SiC（碳化硅）市场总额将会达到5000万美元，到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场，SiC在未来几年的符合增长率高达59%；在光伏和储能市场，SiC的年复合增长率也有26%；而在电源部分，这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。能获得这样的成长表现，与SiC本身的特性有关。英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈
第三代半导体 2020年04月28日
碳化硅，为何让人又爱又恨？(转)

碳化硅，为何让人又爱又恨？(转)

作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质，因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC)：材料、器件及应用-2019版》报告中预计，到2024年，碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018-2024年期间的复合年增长率将高
第三代半导体 2019年09月09日
一文看懂IGBT（转）

一文看懂IGBT（转）

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的
制造工艺技术 2019年07月29日