解析
解析碳化硅外延材料产业链
与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用
《Bipolar/三极管》的深度解析（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者注：感谢老唐，让我暑假加入重庆邮信半导体，我喜欢动手其乐无穷，那时候虽然做的3inch，7um的Bipolar，在金相显微镜下用镜头上的刻度尺量测，现在想想好低端，但那时候对我来说觉得好伟大。第一次当我自己扎上我自己的device时，那种开心溢于言表。这些年BJT的东西坦白讲看的很少，都是学校学的，但是真
