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一文看懂IGBT(转)

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的

5G和新能源汽车应用爆发在即,原厂争先布局SiC、GaN (转)

受材料特性所限,硅器件各方面的性能已经接近理论极限,此背景下,宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的发展相对更成熟,氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等材料的研究尚在起步阶段。随着新能源汽车的普及和5G的商用,厂商针对SiC或GaN做了新的布局。新能源车带动SiC市场目前,车用功率模块的主流材料是IGBT。据了解,IGBT的成本约占驱动系统成本的一