CVD
晶圆制备–外延(Epitaxy) （转）
上一篇文章专题介绍晶圆制备，如何制备集成电路制造专用的衬底晶圆片？我们一般6/8寸的logic、MS制程用的都是抛光片(polish wafer)，这种圆片都是在坩埚里面单晶直拉法拉的晶棒(ingot)，然后切割(saw)成一片片的wafer，再经过抛光退火形成最终的Wafer卖给FAB。但是这种CZ法(单晶直拉法)做出来的wafer最大的问题就是因为坩埚会带入含碳或含氧的杂质，而这些杂质会在晶格
专题-2: Unit Process–ThinFilm（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） ThinFilm(薄膜)主要包含CVD和PVD，CVD（Chemical Vapor Deposition)主要依靠反应气体在等离子体电离能量下，化学分解反应，主要用语后端温度比较低(~400,450C)。而PVD(Physical Vapor Deposition)主要是用来金属沉积，因为很少有金属的气态化
