专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 今天比较累，10点刚下班。还是写吧，马上要周末了。主题依然是单向工艺，离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si，里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的？早期都是扩散进去的，把掺杂的东西涂在wafer表面，然后丢进管子。这个很古老，而且剂量/深度什么的都不好控制。后来
