《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域
LOCOS与STI
芯片制造工艺问答023：Sacrificial oxide (SAC oxide) 的目的为何?
Ans Sacrificial oxide was succeeded after SIN-Remove
of both LOCOS and STI process integration, the basic purposes are:Eliminate the defects caused by Kooi Effect (去除在field oxidation过程中, 所产生的white
rib
