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为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)

为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA)，一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能，Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的？原理又是什么？简单讲就是：LOCOS时代：W减小Vt增大；而L减小，Vt减小(w/o poc
制造工艺技术 2019年06月18日
《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）

《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域
制造工艺技术 2021年06月15日