MOSFET

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MOSFET最基础的东西，看完秒懂

什么是MOSFET MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

芯知笔记 2018年06月28日 159 点赞 0 评论 3110 浏览

公开课：​微电子工艺 视频教程

微电子工艺是一门介绍半导体集成电路制造技术的课程。我们每个人身边都会有几件电子产品，如电子钥匙、手机、平板电脑等，它们的核心部件都是集成电路芯片，通过本课程的学习能使大家了解这些芯片是如何做出来的，为什么随着它们性能的飞速提高，体积却能够越来越小，价格也能不断降低。 课程概述本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识，重点阐述

制造笔记 2021年06月13日 83 点赞 0 评论 3144 浏览

用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾

碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作磨料，也被用于汽车制动盘，作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子设备，包括肖特基势垒二极管（SBD），结型

第三代半导体 2020年11月08日 148 点赞 0 评论 3318 浏览

MOS器件的深度解析 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk

制造工艺技术 2019年06月19日 139 点赞 0 评论 3927 浏览

[经验] 浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直

第三代半导体 2020年11月08日 149 点赞 0 评论 4015 浏览

如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料

制造工艺技术 2019年06月15日 135 点赞 0 评论 4037 浏览

英飞凌高管谈碳化硅

根据IHS的数据预估，今年的SiC（碳化硅）市场总额将会达到5000万美元，到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场，SiC在未来几年的符合增长率高达59%；在光伏和储能市场，SiC的年复合增长率也有26%；而在电源部分，这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。能获得这样的成长表现，与SiC本身的特性有关。英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈

第三代半导体 2020年04月28日 158 点赞 0 评论 4044 浏览

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S

行业故事 2019年10月07日 122 点赞 0 评论 4325 浏览

集成电路制造技术简史 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换，而在硬件上就是从真空二极管(Vacuum Tube

行业故事 2019年06月15日 169 点赞 0 评论 4436 浏览

碳化硅MOSFET有哪些优势？

通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里？》，我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么，使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT，CoolSiC™ 好在哪儿？目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件，特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么，IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢？其实它们的结构非常相似，正面采

第三代半导体 2020年10月27日 169 点赞 0 评论 4447 浏览