NMOS

pMOSFET的可靠性-NBTI (转)

当我们提起NMOS的可靠性的时候,大家随口就说HCI (Hot Carrier Injection),她主要是由于短沟道效应导致的电子碰撞产生电子空穴对,而空穴被垂直栅极电场推进了substrate就成了Isub,而电子被Inject到gate端,与Si/SiO2的界面Si-H键碰撞使得Si-H键破裂重新产生界面陷阱电荷(Dit),但是NMOS的Dit是产生在靠近Drain端的Gate OX哦,因为那里是pinch-off点,载流子最多碰撞几率最高。