STI

半导体晶圆制造基础知识

1.      ZERO OXIDE 的作用是什么?第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离,防止PR直接与Si接触,造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二,WAFTER MARK是用激光来打的,在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上,不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.     

为什么OD和Poly的AEICD那么重要?(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA),一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能,Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的?原理又是什么?简单讲就是:LOCOS时代:W减小Vt增大;而L减小,Vt减小(w/o poc

《LOCOS与STI》你真的知道吗?(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS,再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS,那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧,所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说,我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压),那有源器件所在的区域