Si & SiC\GaN--前浪&后浪
现今流行的半导体材料：Si、SiC和GaN，三兄弟在半导体界的知名度和火热度放在各类小视频软件不下于任何一个网红，只可惜现实中我们往往只是沉溺于刷“帅哥美女”。今天我们再来聊聊这三兄弟~厚积薄发，应运而生作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形
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啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼
碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。SiC作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高
碳化硅MOSFET有哪些优势？
通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里？》，我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么，使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT，CoolSiC™ 好在哪儿？目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件，特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么，IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢？其实它们的结构非常相似，正面采
SiC材料有哪些卓越的性能？
上世纪四五十年代，以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展，硅材料的制备与工艺日臻完美，Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化，正在逐渐接近硅材料的极限，Si基器件性能提高的潜力愈来愈小。现代电子技术对半导体材料提出了高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，而宽带隙第三代半导体材料SiC拥有卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰(EMI)，
