《Silicidation》-难熔金属硅化（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体线宽的等比例缩小，从微米级到深亚微米到纳米级，由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟，所以电路的工作速度限制已经无法忍受，所以一条方法就是降低互连电容，比如后段介质层用Low-K的FSG等，那另外一条路就是降低互连电阻，比如90nm的时候后段就开始用铜制程了，就是这个purpose，当
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