解析碳化硅外延材料产业链
与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用
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Si & SiC\GaN--前浪&后浪
现今流行的半导体材料：Si、SiC和GaN，三兄弟在半导体界的知名度和火热度放在各类小视频软件不下于任何一个网红，只可惜现实中我们往往只是沉溺于刷“帅哥美女”。今天我们再来聊聊这三兄弟~厚积薄发，应运而生作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形
新型功率器件有哪些？电动化趋势下碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）成市场新热点？
电动化浪潮之下，全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现，更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的新型半导体材料在汽车行业的应用，正突破传统材料的限制，赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上，传统功率器件通常采用IGBT技术方案，但近年来随着材料科技的发展，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术正成为技术热点。目前
C# 操作PowerPoint
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DevExpress RichEditControl 插入表格和数据（附源码）
DevExpress RichEditControl 动态插入表格及数据demo源代码，简单例子，希望对你们有帮助参考：https://www.cnblogs.com/wuhuacong/archive/2013/01/27/2878368.html参考：https://download.csdn.net/detail/u012097590/9751938C#
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活得有趣，取悦自己，才是人生最高的境界！
积极心态管理 今天1活得有趣，无问西东活得有趣，才是生命的正能量，在有趣的事情上多浪费一些时光，不要让忙碌淹没了生命中的美好，毕竟人活一辈子，不过是“开心”二字，心之所向，无问西东。生活不容易，对活得有趣的人来说，生活是不断破墙而出的过程；对无趣的人来说，生活是在为自己筑起一道一道的围墙。现代著名作家郁达夫，有一次和妻子王映霞一起看电影，一时得意，把鞋子脱下来，盘腿坐着，感觉很舒服。王映
一名德国生产总监，7年时间总结了中国工厂的151种浪费
导读：爱德拉先生，一名德国的生产总监，在其管理笔记中发现密密麻麻但很工整的笔记，爱德拉先生将这151种浪费归纳为以下八类，一起来看看！ 现代管理中通常把生产现场的七种浪费总结为：过量生产的浪费、等待的时间浪费、运输的浪费、工作本身的浪费、库存的浪费、动作的浪费、质量缺陷的浪费。 管理工作的七种浪费：闲置的浪费、等待的浪
