CMOS到底是怎么工作的 ?
在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米的芯片上，集成了10亿个晶体管”，其中一个最基本的CMOS就是一个晶体管。我们这一期就了解一下关于CMOS的工作原理。由于CMOS是一个比较复杂的一部分，所以我只是从原理上来和大家聊，不涉及到任何物理
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浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)
化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化
微影制程之Overlay控制（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 乘着兴致，把黄光讲完吧，估计我也就懂这些了，我没讲到的期待有人能够补充发表，感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个，一个是特征尺寸(CD)，一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位，顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment)：现在的IC制造工艺非常复杂，需要用到三十几层光罩，除了第一层
专题-1(Adv): Unit Process–Lithography (微影制程) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 最早的《专题1》讲的是光刻入门，其实就是个概念。后面逐渐各项制程都慢慢进入第二轮稍微深入一点，希望能够把书本理论讲完吧。黄光我做的比较少，还是以前调机的时候David天天逼着我去搞Nikon G7，还要拿个摇杆手动对位，X,Y, Theta无聊死了~~不过老板每次都要考核，所以还是好好学习吧，至少
专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 今天比较累，10点刚下班。还是写吧，马上要周末了。主题依然是单向工艺，离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si，里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的？早期都是扩散进去的，把掺杂的东西涂在wafer表面，然后丢进管子。这个很古老，而且剂量/深度什么的都不好控制。后来
专题-5: Unit Process–Diffusion(扩散) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 很久没有讲制造了，今天继续吧。发现我这个人老没逻辑了，想起一出是一出，大家多多包涵或给我建议。今天的主题是扩散(diffusion)，也有说炉管的，因为这个process都是要用到炉管的(那时候开玩笑说我是烧炉子的，就是干这个的。我刚毕业做过几个月这个，因为没有
专题-4: Unit Process–Etch(蚀刻) （转）
编者注: Etch是PIE不得不好好学习的课程，玄机太多了。我曾经花太多时间研究这玩意，结果连皮毛都碰不上，每次跟人家讨论还是云里雾里~~~感谢Joph Chen，曾经的ETCH专家。如果把黄光比作是拍照，那他就是完成了底片的功能，还需要蚀刻来帮忙把底片的图像转移到Wafer上。蚀刻通常分为Wet Etch(湿蚀刻)和Dry Etch (干蚀刻)，湿蚀刻主要各向同性蚀刻(Isotropic)，所以
