总结一下近10年混饭于半导体电路行业的些许感受（转）
继续每天写一点，由于时差关系，我每天只能在这个时间上来随便写点。
先从我10年前大学一起毕业的同学现今的状况说起吧，这也许会是刚入行电子行业的年轻毕业生比较好奇的事情，而且也能从中看到自己多年以后大概的样子。
热门图集
纳米集成电路制造工艺(第2版)张汝京
图解芯片技术
芯路 一书读懂集成电路产业的现在与未来
半导体制造工艺基础
最近更新
晶圆代工争霸战 第一篇
现代科技不断革新，网路平台与云端运算背后，仰赖著上千台电脑伺服器相互连结；智慧型手机除了能登录网页与多样化的应用程式，未来更能支援扩增实境 (AR)、3D影像、支付等功能；除此之外还有感测元件、智慧家庭、穿戴式装置、自动车…。
你应该知道的半导体芯片知识科普
尺寸缩小有其物理限制：不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式，就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念，如右上图。在 Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。
什么是MOS管?MOS管结构原理图解(应用_优势_三个极代表)
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
MOSFET最基础的东西，看完秒懂
什么是MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
转：碳化硅器件制作关键技术与工艺集成
碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC)作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好、还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有着广阔的应用前景。本文综述了SiC器件制作过程中关键工艺研究的最新进展，如掺杂、刻蚀、氧化以及欧姆接触，介绍了器件中结终端技术的应用与发展，最后从工艺集成的角度分析了器件制作过程中热学兼容性、力学兼容性以及异质兼容等问题。
半导体厂商如何做芯片的出厂测试？
我觉得这个问题就是为我量身定制的！作为前Teradyne ATE工程师，现AMD DFT+数字IC设计工程师，以亲身项目经验，来谈谈这个问题。先来说一下完整的测试流程，再针对题主的两个问题回答一下。一、芯片测试概述芯片测试分两个阶段，一个是CP（Chip Probing）测试，也就是晶圆（Wafer）测试。另外一个是FT（Final Test）测试，也就是把芯片封装好再进行的测试。CP测试的目的就
