工艺技术问答

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芯片制造工艺问答008：何谓STI? Typical process flow?

Ans        STI 为Shallow Trench Isolation的简称在0.25 um制程之后，STI是标准的绝缘隔离制程。以下为0.25 UM LOGIC Technology STI process 的简述PAD OXIDE (920C, 110A) ,因SIN与SI间的应力很大，需要一层OXIDE做为缓冲。SIN D

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2536 浏览

芯片制造工艺问答018： iline和DUV分别用什么样式的光阻? 试列表比较各光阻特性?

Ans To achieve sub-wavelength lithography results, resist technology - like the phase shifting masks (PSMs), scanner optics and inspection techniques - is pushed to its absolute limit. Most importantl

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2552 浏览

芯片制造工艺问答027：Gate oxide对产品影响的参数有哪些?

MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子，即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂，简单来说就是一

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2591 浏览

芯片制造工艺问答010：何谓ODR? 对产品有何影响?

Ans 如第8题的附图，在STI-HDP OXIDE Deposition后，Trench密集区的OXIDE多填入Trench内，而空旷区的OXIDE多在SIN之上，如此在后续的CMP制程将会引致不同的Polishing rate。因此用一个OD Reverse Tone(简单来看就是一个和OD Pattern相反的光罩)将空旷区的OXIDE曝开再由OXIDE ETCH将在SIN上的OXIDE吃掉

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2614 浏览

芯片制造工艺问答007：何谓LOCOS? Typical process flow?

LOCOS 为Local Oxidation 的简称在先进的集成电路制程中，可以在面积的硅表面上挤进多达数十万的MOS晶体管，为了使晶体管与晶体管间的操作不受到对方的干扰，必需将每个集成电路上的晶体管，与其它的晶体管相隔离，避免产生短路。在0.25 um制程之前，LOCOS是被普遍使用的绝缘隔离制程，因为它非常简单。以下为0.30 UM TPDM SRAM Technology LOCOS pro

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2634 浏览

芯片制造工艺问答011：ODR pattern density对STI CMP有何影响?

Ans ODR density愈高，CMP的etch rate会愈快，且ODR density也与STI density相关(STI density高，OD density就低，相对地ODR density也要增加)Polish amount simulation equation by E2CMP (KA) = [OD_ mask_field_ratio x (1- ODR_mask_field

工艺技术问答 2021年09月19日 81 点赞 0 评论 2638 浏览

芯片制造工艺问答022：热磷酸对Si3N4, Oxide的蚀刻率分别是多少? 蚀刻率可控制因子为何?

Ans 50:1 HF E/R 53+-5A/min of SiOxNy = 120~150A, 220sec to etch 175A SiOxNyH3PO4 E/R is 60+-6A/min for SIN, 1.5 A/min ~0.25 A/min for oxide, for new H3PO4 acid the [Si] is low and oxide E/R is high bu

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2650 浏览

芯片制造工艺问答012：Pre-Clean的目的为何? 目前共有几种Pre-Clean recipe存在FAB内? 个别的目的有何不同?

Ans Pre-Clean 一般指 Pre furnace/RTP clean.Presently active Pre-clean have 22 recipes; while dilute APM 1 recipe(see attach file: clean.xls) Pre-clean 为SPM,APM,HPM,HF 依个别需求调整使用时间之clean process, SPM is fo

工艺技术问答 2021年09月19日 83 点赞 0 评论 2651 浏览

芯片制造工艺问答028：请问0.18um Gate oxide thickness从理论计算应能承受多少MV/cm @1pA 漏电

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2796 浏览

芯片制造工艺问答001：为何需要Start Oxide?

Ans     For zero layer PHO process, before PHO PR deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. è Zero layer is designed by ASML stepper system.Preve

工艺技术问答 2021年09月12日 82 点赞 0 评论 2837 浏览