芯片制造工艺问答028：请问0.18um Gate oxide thickness从理论计算应能承受多少MV/cm @1pA 漏电

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本文分类：工艺技术问答
本文标签：芯片制造工艺技术问答 GateOxide Furnace Leakage
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发布日期：2021-10-03 20:59:31
本文链接：http://blog.iccourt.com/icask/372.html

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