工艺技术问答

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芯片制造工艺问答013： 何谓Epi-Wafer? 对产品有何影响?

Ans Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal SiImprove the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance.

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2378 浏览

芯片制造工艺问答029：Gate oxide 成长有哪些重要考虑?

Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 2383 浏览

芯片制造工艺问答002：为何需要Zero layer? Laser Mark?

Ans Zero layerASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose.For ASML 300B the overlay spec for single machine is <45nm, for mated 300B machine <75nm and for 300 to 200 ma

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2393 浏览

芯片制造工艺问答003：目前常用的芯片阻值为何?

Ans 算成浓度值多少?P-type, r= 8~12Ω-cm, 10 ± 2 W-cm查表: 8Ω-cm à 1.68e15cm-3, 10Ω-cm à 1.34e15 cm-3, 12Ω-cm à 1.11e15 cm-3由 resistivity and concentration, the mobility can be derived:mn, mp = electron and hole

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2413 浏览

芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?

Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2460 浏览

芯片制造工艺问答024： Vt IMP的目的为何? 对产品电性有何影响?

Ans Vt implant is used to adjust threshold voltage of transistors, useful in CMOS Vt matching and device current adjusting. Since it is quite shallow, it can be used without seriously degrading of sub

工艺技术问答 2021年09月19日 82 点赞 0 评论 2488 浏览

芯片制造工艺问答025：N-well implant打入P31, 120KeV. 请估计光阻厚度最少应有多厚?

Ans 一般光阻厚度必须至少等于离子植入Projection range (Rp) 加上四倍的 Projected standard deviation (DRp), usually define PR thickness as 0.0001% transmission, from data table: P31 @Energy = 120keV, PR masking material thic

工艺技术问答 2021年09月19日 83 点赞 0 评论 2509 浏览

芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?

Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe

工艺技术问答 2021年10月03日 84 点赞 0 评论 2519 浏览

芯片制造工艺问答032：试画图说明炉管区测量控片厚度的位置. 距离芯片中心的距离分别是多少?

芯片制造工艺

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2687 浏览

芯片制造工艺问答034：解释名词, PHO proximity effect, Swing effect, Exposure latitude, Best Focus.

Ans Pho proximity effect: (近接效应)Optical proximity effect is a nature result of the optical interference,diffraction effects. Because diffraction nature of incident lights, it’simpossible to elimin

工艺技术问答 2021年10月03日 82 点赞 0 评论 2696 浏览