半导体生产材料
光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，到底是在说什么？
01半导体光刻胶分类半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。以上的g线、i
CMP 研磨液（Slurry）浅谈【转】
化学机械平坦化：CMP（Chemical-Mechanical Planarization）Slurry：英语名词，译为“泥浆，悬浮液”少量食盐融化到水中，形成均匀稳定的分散体系，是为溶液泥土搅拌到水中，并不是被溶解，仅是分散在其中，一旦混合物停止振荡，就会沉淀，这种不均匀的、异质的混合物，称之为悬浮液 悬浮液 是一种非均相体系，由含大量分子的颗粒悬于液体中形成，固体颗粒
光刻胶综述：光刻胶的作用、分类
光刻胶和光刻机是半导体产品制造必须打两大关键材料。光刻胶又称光致抗蚀剂(photoresist), 是利用光化学反应进行图形转移的媒体,它是一类品种繁多、性能各异,应用极为广泛的精细化学品,本文主要介绍在电子工业中应用的各类光刻胶。电子工业的发展与光刻胶的发展是密切相关的。光刻胶的发展为电子工业提供了产业化的基础,而电子工业的发展又不断对光刻胶提出新的要求,推动光刻胶的发展。由于电子工业的飞速发展
